Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 31846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.88 грн
50+86.02 грн
100+79.96 грн
500+65.42 грн
1000+57.20 грн
2000+54.37 грн
5000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI610GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614BTUFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614BTUFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI614BTUFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614BTUFP001ON SemiconductorIRFI614BTUFP001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GVishayN-MOSFET 200V 4.1A 30W IRFI620G Vishay TIRFI620g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.87 грн
50+54.23 грн
100+53.76 грн
500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTU
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorIRFI624BTUFP001
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1683+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 1683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630A
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI630BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUON SemiconductorIRFI630BTU
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GVishayN-MOSFET 200V 5.9A 35W IRFI630G Vishay TIRFI630g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.28 грн
50+136.34 грн
100+123.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.06 грн
129+110.05 грн
138+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.28 грн
88+161.64 грн
104+136.27 грн
500+130.19 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.79 грн
50+162.15 грн
100+136.70 грн
500+130.61 грн
1000+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.57 грн
106+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.47 грн
10+109.20 грн
50+103.27 грн
100+97.35 грн
250+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+247.72 грн
100+201.23 грн
500+149.38 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630NG
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI634GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
50+128.05 грн
100+105.36 грн
500+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFI634GPBF. - N CHANNEL MOSFET, 250V, 5.6A, TO-220FP
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640G
Код товару: 22414
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640NPBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GVishayN-MOSFET 250V 7.9A 40W IRFI644G Vishay TIRFI644g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 7,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25 В, Qg, нКл = 68 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4.7A, 10V, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF
Код товару: 101078
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.89 грн
107+132.55 грн
108+131.22 грн
128+106.54 грн
500+84.68 грн
1000+76.85 грн
2500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.44 грн
5+110.89 грн
10+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.83 грн
50+131.83 грн
100+119.83 грн
500+100.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFTO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.46 грн
10+134.64 грн
25+133.29 грн
50+127.24 грн
100+99.20 грн
500+81.74 грн
1000+77.28 грн
2500+76.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFI644GPBF.. - N CHANNEL MOSFET, 250V, 7.9A, TO-220FP
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI710GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GInternational RectifierN-MOSFET 3A 400V 30W 1.8Ω IRFI720G iso TIRF720 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.05 грн
78+182.20 грн
105+130.38 грн
500+98.60 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 2.6A N-CH MOSFET
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.70 грн
80+177.95 грн
94+150.19 грн
109+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI720GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2.6 A, 1.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.37 грн
10+128.45 грн
100+96.57 грн
500+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.25 грн
81+175.48 грн
83+171.28 грн
105+129.97 грн
500+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.15 грн
75+190.33 грн
78+182.35 грн
104+131.21 грн
500+98.71 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.57 грн
10+192.76 грн
25+190.94 грн
50+176.40 грн
100+121.88 грн
500+95.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.44 грн
84+169.98 грн
91+155.46 грн
107+128.11 грн
500+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBF
Код товару: 91804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GVishayN-MOSFET 400V 3.7A 35W IRFI730G Vishay TIRFI730g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.94 грн
50+71.36 грн
100+71.03 грн
500+63.09 грн
1000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.7A N-CH MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI730GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.7 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 32
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
euEccn: Unknown
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: Unknown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI734GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]