Продукція > 2SJ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ603 Код товару: 135378
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ604 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ604-ZJ-E1-AZ | Renesas | Description: 2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ605 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ605-ZJ-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ606 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ606-Z-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ606-ZK-E1-AY | NEC Corporation | Description: P-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 120W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ607 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ607-ZJ-AZ | Renesas | Description: 2SJ607-ZJ-AZ - SWITCHING P-CHANN | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ609 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ609 - 2SJ609, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ609 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2sJ610 | TODHIBA | 09+ | на замовлення 12018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ610(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PW-MOLD Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ611 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ612 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ613-TD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ615-TD-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 73000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ615-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ615-TD-E - 2SJ615 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ616-TD-E | onsemi | Description: 2SJ616 - P CHANNEL MOSFET | на замовлення 74049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ616-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ616-TD-E - 2SJ616 - P CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 63226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ619(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 100V 16A SC-97 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ621 | ASSEMBLED | 09+ | на замовлення 12518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ621-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 146650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ621-T1B-AT | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 2936 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ621-T1B-AT | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET P-CH 12V SC-96 SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ621-TIB | на замовлення 158000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ624-T1B-A | NEC | 04+PB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ625 | NEC | на замовлення 18600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ625-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ625-T1B 3A/20V | NEC | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ626 | NEC | 09+ | на замовлення 2818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ630 | SANYO | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ632 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ632-M-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ632-M-TD-E - 2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ632-TD | SANYO | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ632-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ632-TD-E - 2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ633-TL | SANYO | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ633-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 60V 4A | на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ633-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ633-TL-E - 2SJ633 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ633TL | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ634 | SANYO | 04+ | на замовлення 4910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ634-E | onsemi | Description: 8A, 60V, P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 13478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ634-N-TL-E | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ634-S-TL-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ634-S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ634-S-TL-E - 2SJ634 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ634-TL-E | onsemi | Description: 2SJ634 - PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ634-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ634-TL-E - 2SJ634 - PCH 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ635 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ635-E | Sanyo | Description: MOSFET P-CH Packaging: Bulk | на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ635-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ635-TL-E - 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ635-TL-E | onsemi | Description: 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 20 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ635-TL-E | на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ636-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ636-TL-E - 2SJ636 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ637 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ637-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 740 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ637-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ637-E - 2SJ637 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ637-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TP | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ637-EBM-TL-E | onsemi | ON Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ637-S-TL-E | ON Semiconductor | 2SJ637-S-TL-E | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ637-S-TL-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 27300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 489 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ637-S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ637-S-TL-E - 2SJ637 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ637-S-TL-E | ON Semiconductor | 2SJ637-S-TL-E | на замовлення 18200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ637-TL-E | SANYO | 09+ | на замовлення 73518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ645-E | onsemi | Description: P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ645-E | ON Semiconductor | 2SJ645-E | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ645-TL-E | ON Semiconductor | GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ645-TL-E | onsemi | Description: MOSFET P-CH Packaging: Bulk | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ646 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SJ646-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ646-E - 2SJ646 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ646-E | onsemi | Description: PCH 4V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 9975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ646-N-TL-E | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SJ646-N-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A | на замовлення 27300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ646-TL-E | Sanyo | Description: 2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ646-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 3-Pin(2+Tab) TP-FA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ646-TL-E | SANYO | SOT252/2.5 | на замовлення 542 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ646-TL-E | Fairchild Semiconductor | Description: 2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE Packaging: Bulk | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ648-T1 | NEC | 09+ | на замовлення 72018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ649-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO220 | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ649-AZ | Renesas Electronics | MOSFETs Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ650 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ650 - 2SJ650 - P-CHANNEL SILICON MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ650 | SANYO | TO220/3 | на замовлення 1438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ650 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO220ML Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Supplier Device Package: TO-220ML Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 479100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ651 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc) Supplier Device Package: TO-220ML Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 20 V | на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ651-TH | Rochester Electronics, LLC | Description: PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 19056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 208 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ651-TH | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ651-TH - 2SJ651 - P-CHANNEL 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ652 | SANYO | 05+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652 | onsemi | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 28A TO220ML Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652-1E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 28 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652-1E | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3SG Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652-1E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ652-1E | ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652-1E | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ652-RA11 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 28A TO220ML Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220ML Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ653 | onsemi | Description: MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 37609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ653 | SANYO | 05+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SJ653 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ653 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37 A, 0.016 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220ML Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 37609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ653-CB11 | Sanyo | Description: MOSFET FOR 60V MOTOR DRIVERS Packaging: Bulk | на замовлення 16634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SJ653-CB11 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ653-CB11 - 2SJ653-CB11, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

