Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4362-B1B-FMSilicon LabsRF Receiver -116 dBm sub-GHz receiver
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMSilicon Laboratories-116 dBm Sub-GHz Receiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMSilicon Laboratories-116 dBm Sub-GHz Receiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMSilicon Laboratories-116 dBm Sub-GHz Receiver
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF RX FSK 142MHZ-1.05GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, MSK, ASK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 13mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.02 грн
10+447.37 грн
25+423.32 грн
100+366.34 грн
250+347.81 грн
500+334.73 грн
1000+317.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMRSilicon Laboratories-116 dBm Sub-GHz Receiver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMRSilicon LabsSI4362-B1B-FMR SI4362
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF RX FSK 142MHZ-1.05GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, MSK, ASK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 13mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-B1B-FMRSilicon LabsRF Receiver -116 dBm Sub-GHz receiver
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-AMSilicon LabsRF Receiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-AMRSilicon LabsRF Receiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Receiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMSilicon LabsRF Receiver -116 dBm Sub-GHz receiver
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Receiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RECEIVER/ADC 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.56 грн
10+335.74 грн
25+305.67 грн
80+257.41 грн
230+235.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4362-C2A-GMR - HF-EMPFÄNGER, 1.05GHZ, 1MBPS, 85°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: QFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Elektronische Regalbeschriftung, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-Systeme, Smart-Metering
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 142MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.7mA
Empfindlichkeit (dBm): -129dBm
SVHC: To Be Advised
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 142MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 142MHZ-1.05GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
на замовлення 36488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.49 грн
10+346.43 грн
25+327.84 грн
100+283.66 грн
250+269.27 грн
500+259.11 грн
1000+245.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMRSilicon LabsRF Receiver -116 dBm Sub-GHz receiver
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Receiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4362-C2A-GMR - HF-EMPFÄNGER, 1.05GHZ, 1MBPS, 85°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: QFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: Elektronische Regalbeschriftung, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-Systeme, Smart-Metering
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 142MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.7mA
Empfindlichkeit (dBm): -129dBm
SVHC: To Be Advised
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 142MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 142MHZ-1.05GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Applications: General Purpose
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+223.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDY-T1-E3VISHAY06NOPB
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 19.8A 6.6W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDY-T1-E3-PBF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362BDYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362CY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DY-T1-E3VISHAY0542+
на замовлення 42290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DY-T1-E3
Код товару: 27599
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DY-T1SOP-8
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DY-TIVISHAYSOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4362DYT1E3VISHAY
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4364DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4364DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4364DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4364DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 3.5W 4.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4364DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4366DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4366DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4366DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368SISOP-8
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DYVishayMOSFETs USE Si4368DY-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1VISHAY03+ SOP-8
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.67 грн
81+176.32 грн
100+142.38 грн
500+128.20 грн
1000+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.62 грн
10+197.84 грн
50+153.69 грн
100+130.90 грн
500+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 25 Amp 3.5W
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 25A 3.5W 3.2mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4370DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4370DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4376DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4376DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-TI-E3
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4380SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4382DY
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4382DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.7mohm@10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4382DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.7mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 1.47W
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.1W 8.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+91.63 грн
100+67.48 грн
500+50.67 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.77 грн
12+66.32 грн
25+65.66 грн
100+62.94 грн
250+57.91 грн
500+55.26 грн
1000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.18 грн
10+92.93 грн
100+67.48 грн
500+50.67 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4388DY
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]