Продукція > STF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF724 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7LN80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF7N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 4 A, 1.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package | на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N105K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N52DK3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 525V 0.95 Ohm 6A SuperFREDmesh3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N52DK3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N52DK3 | STMicroelectronics | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF7N52K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK D | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N52K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N60DM2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N60DM2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.5nC Pulsed drain current: 24A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N60M2 | STMicroelectronics | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF7N60M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.8nC Pulsed drain current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N60M2 | STM | MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N60M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N65M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N65M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N65M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N80K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.4nC Pulsed drain current: 24A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5 | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N CH 800V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N90K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N90K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N90K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 25W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STM | N-CH 950V 7.2A TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 7.2A; Idm: 28.8A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 28.8A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7N95K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NK30Z | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NK30Z | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF7NK30Z(023Y) | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NK85Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 850V - 1.5 Ohm - 5.7A TO-220FP Zener-Pro, POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM60N | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM60N | STM | MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM80 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; Idm: 26A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM80 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF7NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF7NM80 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF7NM80 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF8045DV | ST | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF80N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100V 0.0085 Ohm typ 40A STripFET VII | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF80N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF80N10F7 | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF80N1K1K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF80N1K1K6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF80N240K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET | на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF80N340K6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF80N450K6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF80N600K6 | STMicroelectronics | Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF80N600K6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF80N600K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF817 | на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF817A | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF817A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF817A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-89-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8200 | SMC DIODE SOLUTIONS | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 8A; ITO220AB; Ufmax: 0.73V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AB Max. forward voltage: 0.73V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF826 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF826 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF826 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8A60 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF8N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FPAB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8N65M5 Код товару: 116715
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF8N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF8N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

