Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF6NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 1.08 Ohm, 5 A MDmesh(TM) Power MO, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF701
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701-LF-T7ProTek DevicesTVS and Filter Combination Network
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.03 грн
6000+53.02 грн
12000+49.33 грн
18000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCSMH07+;
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TC/LSEMTECH2000
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100mW SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCT
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100mW SC70-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF701.TCTSemtech CorporationDescription: IC TVS ARRAY 2-UNI 100MW SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF715STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT89-3
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF715STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT89-3
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN MEDIUM Pwr TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF724STSOT89
на замовлення 64472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
50+88.05 грн
100+79.27 грн
500+59.92 грн
1000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF7N105K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.05 kV, 4 A, 1.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.05kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
50+123.04 грн
100+111.44 грн
500+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.01 грн
10+156.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N52DK3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N52DK3STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N52DK3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 525V 0.95 Ohm 6A SuperFREDmesh3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK D
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+103.78 грн
100+82.59 грн
500+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 7.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.37 грн
50+61.20 грн
100+51.31 грн
500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMMOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMicroelectronics
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 13.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
10+143.33 грн
50+110.03 грн
100+93.18 грн
500+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMN-CH 950V 7.2A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.73 грн
117+121.00 грн
121+113.46 грн
500+98.90 грн
1000+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 7.2A; Idm: 28.8A; 35W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 28.8A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.08 грн
10+121.96 грн
50+121.31 грн
100+113.74 грн
500+99.16 грн
1000+93.74 грн
2000+92.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NK30Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NK30ZSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NK30Z(023Y)STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NK85ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 850V - 1.5 Ohm - 5.7A TO-220FP Zener-Pro, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.79 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.52 грн
50+196.44 грн
100+177.81 грн
500+139.98 грн
1000+120.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.91 грн
50+151.42 грн
100+144.30 грн
500+125.93 грн
1000+111.61 грн
2000+103.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.41 грн
94+151.03 грн
100+143.93 грн
500+125.61 грн
1000+111.32 грн
2000+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.04 грн
50+168.94 грн
100+153.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF7NM80STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.5A; Idm: 26A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8045DVST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0085 Ohm typ 40A STripFET VII
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N10F7STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N1K1K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 1.0 OHM TYP., 5
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
50+83.15 грн
100+74.66 грн
500+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.58 грн
50+84.71 грн
100+80.35 грн
500+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N1K1K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 21W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 21W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 5.7nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+95.61 грн
50+74.64 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.13 грн
168+84.28 грн
177+79.95 грн
500+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N1K1K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF80N1K1K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N1K1K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N240K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF80N240K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]