Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFIZ48GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.39 грн
50+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.43 грн
500+84.99 грн
1000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFIZ48NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48NPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48VHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48VPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ120
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ220
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ230
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ240
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ320
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ330
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ340
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ420
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ440IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ9130
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ9140
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFJ9230
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2D054IR120A/60V/MOS/2U
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2D150IR72A/100V/MOS/2U
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2D250IRF3-7
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2D350IR25A/400V/MOS/2U
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2D450module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2D450+IR.
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2DC50IR18A/600V/MOS/2U
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2DE50IR12A/800V/MOS/2U
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2F054IR120A/60V/MOS/2U
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2F150IR72A/100V/MOS/2U
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2F250IR54A/200V/MOS/2U
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2F350IR25A/400V/MOS/2U
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2F450Vds=500V Id=22A Rds(on)=200MOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2F450IR22A/500V/MOS/2U
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2FC50IR18A/600V/MOS/2U
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK2FE50IR12A/800V/MOS/2U
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3D150IR125A/100V/MOS/2U
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3D250IR70A/200V/MOS/2U
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3D350IR37A/400V/MOS/2U
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3D450IRMODULE
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3F150IR125A/100V/MOS/2U
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3F250IR70A/200V/MOS/2U
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3F350IR37A/400V/MOS/2U
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3F450IR33A/500V/MOS/2U
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK3FC50IR24A/600V/MOS/2U
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4H054IR150A/60V/MOS/1U
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4H150IR145A/100V/MOS/1U
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4H250module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4H350IRF3-6
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4H35DIRMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4H450module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4HC50IR35A/600V/MOS/1U
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4HE50IR26A/800V/MOS/1U
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4J054IR150A/60V/MOS/1U
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4J150IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4J250IR108A/200V/MOS/1U
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4J350IR50A/400V/MOS/1U
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4J450IR44A/500V/MOS/1U
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4JC50IR35A/600V/MOS/1U
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK4JE50IR26A/800V/MOS/1U
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6H054module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6H150module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6H250module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6H350IRMODULE
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6H450IRMODULE
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6HC50IRMODULE
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6J054IR350A/60V/MOS/1U
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6J150IR150A/100V/MOS/1U
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6J250IR140A/200V/MOS/1U
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6J350IR75A/400V/MOS/1U
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6J450IRMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6JC50IRMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFK6T064IRF3-6
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014VISHAYMOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+143.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBF
Код товару: 23061
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBFInternational RectifierHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014; IRFL014TR; IRFL014TR-BE3; IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTR JGSEMI TIRFL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014N; IRFL014NTR; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTR
Код товару: 29217
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.88 грн
391+36.31 грн
514+27.62 грн
1000+24.34 грн
2500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 13836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.99 грн
10+39.79 грн
100+25.89 грн
500+18.67 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.41 грн
50+50.10 грн
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF
Код товару: 23060
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInternational RectifierHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
5000+18.38 грн
7500+18.20 грн
12500+17.37 грн
17500+15.67 грн
25000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.48 грн
5000+14.57 грн
7500+13.91 грн
12500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.53 грн
5000+18.32 грн
7500+18.14 грн
12500+17.32 грн
17500+15.62 грн
25000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFTECH PUBLICHEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 48989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.07 грн
10+47.30 грн
100+27.02 грн
500+21.23 грн
1000+18.64 грн
2500+16.48 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]