Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP140N Код товару: 158617
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP140N | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 33A 100V 140W 0.052Ω IRFP140N IRFP140N TIRFP140n кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140N | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140N | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 33A 100V 140W 0.052Ω IRFP140N IRFP140N TIRFP140n | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140N Pbf | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 94W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 27A 52mOhm 62.7nCAC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP140NPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 100V 31A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP140PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 31A, TO-247 tariffCode: 85414100 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP140R | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP141 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP142R | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150 | HARRIS | IRFP150 | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150 | Siliconix | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 41A; 230W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP150; IRFP150; IRFP150 TIRFP150 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150 | HARRIS | IRFP150 | на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150 | HARRIS | IRFP150 | на замовлення 9119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 12139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150A | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel A-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 3489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 193W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150M | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150M | International Rectifier | N-MOSFET 42A 100V 160W 0.036Ω IRFP150M TIRFP150m кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP150MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFP150MPBF | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 7130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF Код товару: 202905
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150MPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150N | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 42A 100V 160W 0.036Ω IRFP150N TIRFP150n кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150N | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 18919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 160W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 19144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC | на замовлення 14539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP150NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 19140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 67271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF (TO-247AC, IR) Код товару: 27503
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT | у наявності: 86 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP150NPBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 100V 41A N-CH MOSFET | на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP150PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 6372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 6372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC | на замовлення 1344 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP150PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP150R119 | Harris Corporation | Description: 40A, 100V, 0.055OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP150V | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFP150` | на замовлення 1366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFP151 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP152 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP153 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP15N60LPBF | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFP15N60LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50L | IR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP17N50L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50L | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP17N50LPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 16A N-CH MOSFET | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | Vishay Siliconix | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC On-state resistance: 0.32Ω Drain current: 16A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 64A Drain-source voltage: 500V Power dissipation: 220W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | IR | 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP17N50LS | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP21N60L | на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

