Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6875ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875A_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875NLFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875_NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6876FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.65 грн
500+80.67 грн
1000+74.40 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONS/FAISO8, Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AonsemiMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.69 грн
10+91.34 грн
100+53.23 грн
500+42.15 грн
1000+38.67 грн
2500+34.49 грн
5000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.06 грн
100+57.38 грн
500+42.70 грн
1000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.64 грн
10+80.43 грн
25+79.86 грн
100+67.46 грн
250+61.12 грн
500+53.42 грн
1000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SO8
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.68 грн
10+89.41 грн
100+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+88.94 грн
100+52.05 грн
500+42.64 грн
1000+37.69 грн
2500+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.43 грн
5000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A/FSCFSC08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890ANLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 66856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.03 грн
511+69.31 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 11135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.03 грн
511+69.31 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6892A - TRANSISTOR, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6892AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AZFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892A_NF40FAIRCHILD09+
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894NS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AS
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AZFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898FDSSOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 12966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.80 грн
10+71.63 грн
100+41.32 грн
500+32.54 грн
1000+29.75 грн
2500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AFairchild2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A
Код товару: 46542
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
7+61.05 грн
10+55.94 грн
50+45.45 грн
100+41.60 грн
500+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.41 грн
5000+29.88 грн
7500+28.71 грн
12500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AFairchild/ON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+624.00 грн
10+111.06 грн
100+95.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.72 грн
100+49.94 грн
500+36.88 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A-NF40FAIRSOP8
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A-NLFAI
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.97 грн
500+40.00 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.80 грн
50+60.88 грн
100+50.97 грн
500+40.00 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A/FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A2FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898ANLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+71.69 грн
500+64.52 грн
1000+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.50 грн
100+52.70 грн
500+39.08 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZONS/FAIMOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+71.69 грн
500+64.52 грн
1000+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.18 грн
13+62.48 грн
100+54.47 грн
500+46.14 грн
1000+39.55 грн
2500+36.41 грн
5000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.18 грн
10+78.52 грн
100+45.64 грн
500+36.09 грн
1000+33.02 грн
2500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+71.69 грн
500+64.52 грн
1000+59.50 грн
10000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.81 грн
10+89.41 грн
100+59.50 грн
500+43.63 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-F085ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-SBDP002Fairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZNLFAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ_F085ON SemiconductorFDS6898AZ_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 20V 9.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.48 грн
10+100.93 грн
25+99.37 грн
50+94.31 грн
100+85.94 грн
250+81.17 грн
500+79.83 грн
1000+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A_NF40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898ZFAIRCHIL10+ DO-214..
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900FDSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900-NL
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6900AS - MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS
Код товару: 44563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASonsemi / FairchildMOSFET Dual NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.74 грн
500+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS-NLFairchildSOP8 0706+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS_NLFAIRCHILSOP 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, DUAL NCH, POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6900S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 296790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
на замовлення 241200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
10000+56.65 грн
100000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]