Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
547+64.82 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ-SBDP002Fairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZNLFAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ_F085ON SemiconductorFDS6898AZ_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 20V 9.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R - Arrow.com
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.71 грн
10+101.15 грн
25+99.59 грн
50+94.52 грн
100+86.13 грн
250+81.35 грн
500+80.01 грн
1000+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A_NF40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898ZFAIRCHIL10+ DO-214..
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900FDSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900-NL
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASonsemi / FairchildMOSFET Dual NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6900AS - MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.92 грн
500+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS
Код товару: 44563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS-NLFairchildSOP8 0706+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS_NLFAIRCHILSOP 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900AS_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, DUAL NCH, POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
на замовлення 241200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
10000+56.78 грн
100000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6900S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 296790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
на замовлення 43090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
10000+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SON SemiconductorFDS6900S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6900SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 296790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6902FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6909A-NL
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910onsemi / FairchildMOSFETs Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.68 грн
10+76.89 грн
25+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910-NLFAIRCHILSOP8
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910-ZonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6910NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.48 грн
500+120.49 грн
1000+111.18 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
на замовлення 13803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911ON Semiconductor / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6911_NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 79050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6912 - MOSFET, DUAL, N, SMD, 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AonsemiMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.93 грн
1014+34.97 грн
10000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.40 грн
23+33.36 грн
100+29.77 грн
250+28.52 грн
500+24.38 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A
Код товару: 148756
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON-SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.21 грн
50+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A-NL
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912ANLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A_NLFSC09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912NLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6920SFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930FDSSOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930-NL
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930AONS/FAIНЕ ДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБОТОК Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930ANLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A_NLFSC09+
на замовлення 22448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930BonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B
Код товару: 118461
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930BONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930BONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930BonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930Bonsemi / FairchildMOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930BONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6930B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6932SSOP
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6936AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6947AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6958A
на замовлення 187332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.