Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10
Код товару: 168355
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N10L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LFAIRCHILDFQPF7N10L
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20FAIRCHILDFQPF7N20
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60CFSC09+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.95 грн
500+102.55 грн
1000+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.95 грн
500+102.55 грн
1000+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CONS/FAIMOSFET N-CH 650V 7A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.95 грн
500+102.55 грн
1000+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65ConsemiMOSFETs 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.95 грн
500+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.95 грн
500+102.55 грн
1000+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+113.95 грн
500+102.55 грн
1000+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65ConsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUonsemiMOSFETs 650V N-Ch Advance Q-FET C-Series
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.11 грн
500+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.11 грн
500+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N65CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.11 грн
500+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU-TonsemiDescription: FQPF7N65CYDTU-T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80C
Код товару: 173951
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+136.72 грн
500+122.58 грн
1000+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N90C
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
на замовлення 14827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P06FAIRCHILDFQPF7P06
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7P06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+120.99 грн
50+92.39 грн
100+78.03 грн
500+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.39 грн
2000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
1000+92.15 грн
10000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
3 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild/ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 192 шт
  • 179 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 12 шт
  • 12 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+58.00 грн
10+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
1000+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
1000+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220FFSC09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C/FSCFSC08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N60CFT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.97 грн
50+90.30 грн
100+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUFAIRCHILDFQPF8N60CYDTU
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUFAIRCHILDFQPF8N60CYDTU
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N60CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUFAIRCHILDFQPF8N60CYDTU
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C; FQPF8N80C TFQPF8n80c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 136550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 136550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Код товару: 122019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.