Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF6N60CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60ConsemiMOSFETs N-CH/600V/6A/QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70onsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+101.23 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.64 грн
72+198.95 грн
105+134.83 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C
Код товару: 116791
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
10000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.45 грн
81+175.13 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.98 грн
10+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CONN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CTONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80Tonsemi / FairchildMOSFET N-CH/800V/6A/QFET
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90FAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C
Код товару: 167479
Додати до обраних Обраний товар
ON SEMICONDUCTORТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CONS/FAIМОП-транзистор 900V N-Ch Q-FET advance C-Series Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CON-SemiconductorN-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6N90C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 2.3 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CTONS/FAIMOSFET N-CH 900V 6A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25FAIRCHILDFQPF6P25
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.10 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF6P25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+77.87 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N08
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.40 грн
10+183.70 грн
100+156.07 грн
500+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.01 грн
10+227.99 грн
25+221.96 грн
100+209.21 грн
500+192.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10
Код товару: 168355
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.01 грн
63+227.99 грн
64+221.96 грн
100+209.21 грн
500+192.54 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LON SemiconductorFQPF7N10L
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N10L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N10LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20ON SemiconductorFQPF7N20
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20ON SemiconductorFQPF7N20
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N60CFSC09+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65ConsemiMOSFETs 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65ConsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CONS/FAIMOSFET N-CH 650V 7A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 14898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
10000+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N65CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.11 грн
500+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]