Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5237T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5238T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5238T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5238T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5241T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5241T1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 15989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5241T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5241T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | на замовлення 11750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | MOTO | SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 78850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 13800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 . SOT-363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 39894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 82145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 185363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 19210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 11812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Kind of transistor: BRT; complementary pair Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 60 Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Type of transistor: NPN / PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Транзистор NPN подвоєний, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312D | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1 | на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 26194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5312DW1T1G TMUN5312dw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 7865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 26194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Kind of transistor: BRT; complementary pair Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Type of transistor: NPN / PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1050000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1050000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 29101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2 | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Kind of transistor: BRT; complementary pair Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Type of transistor: NPN / PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 176860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 416982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 4451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DWT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312T1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | на замовлення 153000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V | на замовлення 12201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 34341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DWT1G | на замовлення 2020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5314DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5314DW1 | onsemi | onsemi SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | MOT | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 81230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | на замовлення 273230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5314DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 1699 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 41501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON-Semiconductor | TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

