Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4C03NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V | на замовлення 3624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C054NT1G | onsemi | Description: NTMFS4C054 - SINGLE N-CHANNEL PO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.59W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 7594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C054NT1G | ON Semiconductor | MOSFET TRENCH 6 30V NCH | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C054NT3G | ON Semiconductor | MOSFET NTMFS4C054NT3G | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05N | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NAT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NAT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C05NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 118500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm | на замовлення 15138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A/78A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G-001 | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G-01 | ON Semiconductor | NTMFS4C05NT1G-01 | на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH | на замовлення 4854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06N | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT1G | ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT3G | ON Semiconductor | T6 LC SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT3G | onsemi | MOSFET T6 LC SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NAT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 69A 4M Ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | Cypress Semiconductor Corp | Description: NTMFS4CNTMFS4NFSO8364MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | ON Semiconductor | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | onsemi | Description: NTMFS4C06 - NFET SO8FL 30V 69A 4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT3G | ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 69A 4M Ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NBT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NCT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | на замовлення 67044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G-001 | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT3G | ON Semiconductor | на замовлення 4675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08N | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NAT1G | ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NAT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 16262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ONN | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G Код товару: 142967
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G-001 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G-001 - NTMFS4C08NT1G-001, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G-001 | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT1G-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4C08NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|