Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC | на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 10916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP2907ZPBF Код товару: 48264
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 75 V Idd,A: 90 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180 Монтаж: THT | у наявності: 13 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 90A 4.5mOhm 180nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3006 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 147 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 60V 257A TO247 | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 151575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 297951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBF Код товару: 24931
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160 Монтаж: THT | у наявності: 62 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 340W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 69 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP31N50 | IR | 2002 TO-247 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP31N50L | IR | TO-3PL | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP31N50L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 31A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP31N50LPBF Код товару: 52445
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3205 транзистор полевой Код товару: 109766
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP3205PBF | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP3206 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3206 Код товару: 99502
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 60 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 2,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFP3206 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 120 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6540 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | International Rectifier | TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3206PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IR FET UP TO 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP32N50K Код товару: 57713
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 32 A Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5280/190 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFP32N50K | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP32N50K | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP32N50K | Siliconix | Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP32N50KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 32A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP32N50KPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP32N50KPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP32N50KPBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP32N50KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3306 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3306 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 69 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3306PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg | на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3306PBF Код товару: 1056
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 60 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85 Монтаж: THT | у наявності: 3 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFP3306PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3306PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP3306PBFXKMA1 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP3306PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP3306PBFXKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP340 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP340 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP340 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP340 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 178 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP340 | HARRIS | IRFP340 | на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

