Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC859BW,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC859BW,135 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 243398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859BW115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC859BW SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859BW_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859B_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859B_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859B_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859B_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859B_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C | SHIKUES | Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C Код товару: 3051
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 30 В Напруга Uкб, В: 30 В Струм Iк, А: 0,1 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 900 УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | у наявності: 84 шт
на замовлення: 250 шт
|
| ||||||||||||||
| BC859C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 3942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 520 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 15455 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C .3G | DIOTEC | Tranzystor PNP; 800; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC859C-DIO; BC859C smd DIOTEC TBC859c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 770 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 447 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2mA, 5V, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC859C/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Substitute: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215; BC859C,215 SOT23 NXP TBC859c NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 128930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 143 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 35056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP | TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 267670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC859C/SOT23/TO-236AB | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC859C,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C-MS | MSKSEMI | Trans Bipolar (BJT) Substitute: BC859C-MS; BC859C SOT23 MSKSEMI TBC859c MSK кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859C-QR | Nexperia | BC859C-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C-QVL | Nexperia | BC859C-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859C-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859CE6327HTSA1 - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 92161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6310 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 89161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC859CLT1 - BC859CLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 4265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC859CLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CMTF | FSC | SOT-23 08+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC859CW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC859CW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 30V, 100mA, PNP | на замовлення 9884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 200 mW Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) | на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 85462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70 | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 106 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Frequency - Transition: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,115 | NXP | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R ODPOWIEDNIK: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115; BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA TBC859cw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC859CW,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC859CW,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 17227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

