Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANSR2N7261U | Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7262U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC Packaging: Tray Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 5.5A, 12V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V Qualification: MIL-PRF-19500/601 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7262U | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7268U | Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7268U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 34A U1 Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 34A, 12V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: U1 (SMD-1) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 12 V Qualification: MIL-PRF-19500/603 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7269 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO254AA Packaging: Tray Package / Case: TO-254-3, TO-254AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 12 V Qualification: MIL-PRF-19500/603 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7269 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7269U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 26A U1 Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: U1 (SMD-1) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 12 V Qualification: MIL-PRF-19500/603 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7269U | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7269U | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 200V 26A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7292 | Harris Corporation | Description: 25A, 100V, 0.070 OHM, RAD HARD, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 552 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-254AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA Packaging: Bulk | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JANSR2N7373 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7380 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7380 | Microchip Technology | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7381 | Microchip Technology | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7381 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7382 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7382 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7389 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7389U | Microchip Technology | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7401 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7404 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7519U3 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7524T1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7524U2 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7549T1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7550T1 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7550U2 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7555U3 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7583U2 | Microchip / Microsemi | MOSFETs RH MOSFET 200V SMD 2.0 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7584T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET RH MOSFET 200V TO-254AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7585U2 | Microchip / Microsemi | MOSFETs RH MOSFET 250V U2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7586T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET RH MOSFET 250V TO-254AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7587U3 | Microchip / Microsemi | MOSFETs RH MOSFET 100V U3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7589U3 | Microchip / Microsemi | MOSFETs RH MOSFET 150V U3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7589U3 | Microchip Technology | Description: RH MOSFET 150V U3 Qualification: MIL-STD-750 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Grade: Military Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 12A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7591U3 | Microchip Technology | Description: RH MOSFET _ U3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7593U3 | Microchip Technology | Description: RH MOSFET _ U3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Part Status: Active Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.8A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Qualification: MIL-PRF-19500 Grade: Military Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSR2N7593U3 | Microchip / Microsemi | MOSFET RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2222AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2222AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2907AUB | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2907AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANSU2N2907AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTV2N6437 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX022N4856 | Solitron | Trans JFET N-CH 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1183 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1183A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1183R | IR | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1183T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1183TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1184 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1184 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 35A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1184 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1184 | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1184A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1184R | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 35A 2-Pin DO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1184R | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD REV 100V 35A DO5 Qualification: MIL-PRF-19500/297 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 35A Technology: Standard, Reverse Polarity Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1184R | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1184T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1184TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1185 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1185A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1185R | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1185T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1185TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1186 | Microchip / Microsemi | Rectifiers Std Rectifier | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| JANTX1N1186 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1186 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1186 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1186A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1186R | Microsemi | Rectifiers Std Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1186R | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1186R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 200V 35A DO203AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: MIL-PRF-19500/297 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1186R | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1186R | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1186R | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-5 Tray | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| JANTX1N1186T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1186TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1187 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1187A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1187R | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1187T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1187TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1188 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-5 (DO-203AB) Current - Average Rectified (Io): 35A Technology: Standard, Reverse Polarity Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1188 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1188 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1188A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1188R | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD REV 400V 35A DO5 Qualification: MIL-PRF-19500/297 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 35A Technology: Standard, Reverse Polarity Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX1N1188R | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1188T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1188TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1189 | IR | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1189A | IR | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1189R | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1189T | IR | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1189TR | IR | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| JANTX1N1190 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |