Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2451UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2451UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | на замовлення 7202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFB4Q-7R | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFB4Q-7R | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2451UFB4Q-7R | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFDFWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 10K | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1212-3 T&R 3K | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 528 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V | на замовлення 38663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V | на замовлення 18392 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.7nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | Diodes | MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H11DSQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-7 | Diodes | MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss | на замовлення 125892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN24H3D5L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2500UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2500UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 4035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2500UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2550UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2550UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V | на замовлення 8179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2550UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC | на замовлення 17134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN25D0UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V | на замовлення 4643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN25D0UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN25D0UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W | на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V | на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UDJ-7 | Diodes | MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 | на замовлення 27093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A | на замовлення 89990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan | на замовлення 37001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-4 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 79 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V | на замовлення 2229584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V | на замовлення 2226000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW | на замовлення 25897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.3W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 774 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2710UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 360mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2710UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2710UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2710UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 490mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 490mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2710UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 360mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |