Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2450UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.54 грн
100+6.83 грн
500+4.90 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.54 грн
100+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.33 грн
20000+2.92 грн
30000+2.77 грн
50000+2.44 грн
70000+2.35 грн
100000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4Q-7RDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
на замовлення 5214000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
6000+3.67 грн
9000+3.46 грн
15000+3.03 грн
21000+2.90 грн
30000+2.77 грн
75000+2.45 грн
150000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 37117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.61 грн
21+15.56 грн
100+8.49 грн
500+6.28 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
на замовлення 5216747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.27 грн
100+7.70 грн
500+5.33 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.27 грн
20000+2.56 грн
30000+2.47 грн
50000+2.23 грн
70000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 1.1W; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: DFN1006-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
18+17.78 грн
100+10.84 грн
500+9.11 грн
1000+7.59 грн
5000+7.52 грн
10000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.55 грн
500+3.81 грн
1000+3.36 грн
2000+2.98 грн
5000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 16417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.95 грн
34+9.53 грн
100+5.11 грн
500+3.73 грн
1000+2.97 грн
5000+2.69 грн
10000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.47 грн
20000+2.16 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
32+10.08 грн
100+5.73 грн
500+4.49 грн
1000+3.87 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+2.49 грн
9000+2.10 грн
15000+1.94 грн
21000+1.93 грн
30000+1.83 грн
75000+1.67 грн
150000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
12+27.55 грн
100+15.19 грн
500+9.53 грн
1000+8.35 грн
3000+4.90 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.51 грн
20000+3.98 грн
30000+3.79 грн
50000+3.36 грн
70000+3.25 грн
100000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 10K
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
11+29.37 грн
100+16.15 грн
500+10.15 грн
1000+8.91 грн
2500+7.87 грн
5000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.18 грн
100+9.55 грн
500+6.67 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.80 грн
18+18.18 грн
100+9.94 грн
500+7.11 грн
1000+6.28 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 63014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.58 грн
12+28.34 грн
100+16.78 грн
500+14.64 грн
1000+12.56 грн
3000+8.42 грн
6000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.12 грн
500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 280248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.36 грн
100+19.53 грн
500+13.92 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.91 грн
31+26.58 грн
100+18.12 грн
500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
6000+8.87 грн
9000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.21 грн
20000+10.02 грн
30000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 9967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
11+30.41 грн
100+18.16 грн
500+13.88 грн
1000+11.25 грн
5000+10.01 грн
10000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.91 грн
100+21.24 грн
500+15.20 грн
1000+13.67 грн
2000+12.38 грн
5000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 8021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
10+32.39 грн
100+18.16 грн
500+13.88 грн
1000+12.50 грн
3000+9.73 грн
6000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
28+28.99 грн
100+19.73 грн
500+14.36 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.54 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7DiodesMOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.73 грн
500+14.36 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.91 грн
100+21.24 грн
500+15.20 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.93 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
на замовлення 125892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.71 грн
11+31.12 грн
100+19.05 грн
500+13.39 грн
1000+12.56 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.51 грн
20+41.08 грн
100+25.93 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 25 V
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+35.67 грн
100+26.65 грн
500+19.65 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
21+14.58 грн
100+9.80 грн
500+7.10 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.09 грн
52+15.79 грн
105+7.74 грн
500+7.06 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
17+18.89 грн
100+10.42 грн
500+7.80 грн
1000+6.97 грн
3000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.79 грн
105+7.74 грн
500+7.06 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
на замовлення 17742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
22+15.00 грн
100+8.22 грн
500+6.08 грн
1000+4.83 грн
5000+4.21 грн
10000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.16 грн
100+8.29 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
2000+4.55 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.67 грн
100+12.50 грн
500+8.80 грн
1000+7.86 грн
2000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W
на замовлення 11049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.56 грн
100+11.60 грн
500+8.56 грн
1000+6.97 грн
2500+6.90 грн
5000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFBDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+3.30 грн
9000+3.11 грн
15000+2.71 грн
21000+2.60 грн
30000+2.48 грн
75000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4033+3.52 грн
6000+3.24 грн
9000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 4033 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.38 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V
на замовлення 106281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
27+11.14 грн
100+6.97 грн
500+4.82 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
6000+3.24 грн
9000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.11 грн
252+3.21 грн
263+3.07 грн
500+2.38 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 20203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.76 грн
100+3.18 грн
103+2.69 грн
3000+2.62 грн
24000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
на замовлення 89990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
на замовлення 27093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7DiodesMOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
на замовлення 37001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-4 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]