Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2451UFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 280248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.64 грн
100+19.71 грн
500+14.05 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
6000+8.95 грн
9000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 63014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 9967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.21 грн
100+21.44 грн
500+15.34 грн
1000+13.80 грн
2000+12.50 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.31 грн
20000+10.11 грн
30000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 8021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7DiodesMOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H11DSQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.21 грн
100+21.44 грн
500+15.34 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DSQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7DiodesMOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
на замовлення 125892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 25 V
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+36.00 грн
100+26.89 грн
500+19.83 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN24H3D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 480 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H3D5L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 240V 0.48A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 810mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
21+14.72 грн
100+9.89 грн
500+7.17 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
на замовлення 17439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.36 грн
500+5.81 грн
1000+5.15 грн
2000+4.59 грн
5000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.85 грн
100+12.62 грн
500+8.89 грн
1000+7.93 грн
2000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W
на замовлення 11049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFBDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+3.23 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
23+13.13 грн
100+8.18 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4033+3.51 грн
6000+3.23 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 4033 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 20203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2600UFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
на замовлення 27093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7DiodesMOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
на замовлення 89990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
на замовлення 37001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.24A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-4 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
на замовлення 2226000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
6000+2.58 грн
9000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4425+3.20 грн
6000+3.12 грн
9000+2.98 грн
15000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
на замовлення 2229584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
39+7.85 грн
100+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
6000+3.33 грн
9000+3.17 грн
15000+2.55 грн
24000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4133+3.42 грн
6000+3.33 грн
9000+3.17 грн
15000+2.55 грн
24000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 4133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.20 грн
6000+3.12 грн
9000+2.97 грн
15000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
на замовлення 25897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]