Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4401FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 40966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.60 грн
10+60.93 грн
50+45.45 грн
100+37.96 грн
500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.50 грн
197+71.97 грн
500+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.56 грн
5000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4402
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4402DY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4402DY-T1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4402DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403bDYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C; SI4403BDY TSI4403bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403bDYSiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C; SI4403BDY TSI4403bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403BDY-T1
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403BDYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
на замовлення 14670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 1.8V P-Channel
на замовлення 40144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 15918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.56 грн
10+46.88 грн
100+30.81 грн
500+22.44 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.75 грн
10+53.49 грн
50+37.55 грн
100+32.21 грн
500+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 1.8V P-Channel, SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
на замовлення 14670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.25 грн
236+60.20 грн
500+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.01 грн
5000+17.78 грн
7500+17.02 грн
12500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.67 грн
14+31.39 грн
100+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 15 4A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+38.27 грн
557+25.47 грн
720+19.69 грн
1000+16.44 грн
2500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.95 грн
621+22.84 грн
760+18.66 грн
1000+14.92 грн
2500+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 60194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.66 грн
10+36.16 грн
50+26.53 грн
100+21.97 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 31975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.77 грн
7500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DYSILICONIX0738+
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DY SOP8
Код товару: 128242
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DY-T1
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404SIEMENS01+ SOP
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404-T1-E3
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4404DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1SOP-8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DYT1VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404T1-E3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405SI04+ SOP
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405BDY-T1-E3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405DYVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI4459ADY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405DY
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405DY-T1VISHAY05+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4405DYT1E3VISHAY
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4406DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4407
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4407DY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4407P
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si4408
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408-T1-E3
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408BDY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408BDY-T1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1VISHAY2004
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT SI4114DY-E3
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.37 грн
10+149.82 грн
100+119.25 грн
500+94.69 грн
1000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 21A 3.5W 4.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4408DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.