Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP9140NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140NPBF | Infineon | P-Channel 100V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP9140PBF - Leistungs-MOSFET, Universal, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 180W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | на замовлення 6417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 215 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 100V 21A P-CH MOSFET | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF Код товару: 23067
Додати до обраних
Обраний товар
| FS | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/37 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP9140PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9150 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9150 Код товару: 147776
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP9150 | Harris | P-Channel 100V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9150_R4941 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9240 | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 TIRFP9240 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240 | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 12A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 JSMICRO TIRFP9240 JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240 | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 TIRFP9240 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9240 | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 12A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP9240; IRFP9240 JSMICRO TIRFP9240 JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF Код товару: 24069
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/38 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 200V 12A P-CH MOSFET | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP9240PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm | на замовлення 5416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1912 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF (TO-247AC, Vishay) Код товару: 148843
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44 Монтаж: THT | у наявності: 18 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP9240PBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP9242 | Samsung | на замовлення 11300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC20 Код товару: 127544
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC30 | IR | TO-3P | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC40 | Harris Corporation | Description: 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC40 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC40 | HARRIS | IRFPC40 | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 6.8A N-CH MOSFET | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC42 | International Rectifier | Description: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P) | на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC48 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 8.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC48 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC48 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50 | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC50 Код товару: 83094
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 600 V Idd,A: 11 А Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/140 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50A | IR | TO-247 | на замовлення 95725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC On-state resistance: 0.58Ω Drain current: 11A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 600V Power dissipation: 180W | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50APBF. | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC50APBF. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 11 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 180 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 180 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50LC | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPC50LCPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V N-CH HEXFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50LCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 190W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 11A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 600V Power dissipation: 190W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Power dissipation: 180W | на замовлення 261 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC50PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC60 | (N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC60 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC60 | IR | TO-247 | на замовлення 37799 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC60 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC60LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC60LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFPC60LC | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

