Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 225  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP4668PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+745.31 грн
25+710.91 грн
50+682.30 грн
100+634.73 грн
250+569.49 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.11 грн
400+291.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFMOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+271.67 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.90 грн
10+319.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.22 грн
25+282.68 грн
50+257.05 грн
100+221.02 грн
500+185.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.26 грн
53+269.52 грн
100+231.43 грн
400+217.98 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1InfineonN-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 10165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.34 грн
10+268.89 грн
100+230.88 грн
400+217.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 13677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+498.90 грн
45+319.68 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 13215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+330.46 грн
500+312.82 грн
1000+296.35 грн
10000+268.76 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP470IXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP470IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710International RectifierHEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 22375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+166.99 грн
1000+157.58 грн
10000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBF
Код товару: 83493
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 11467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+166.99 грн
1000+157.58 грн
10000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768International RectifierTranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+404.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768International RectifierTranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+404.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+472.01 грн
33+433.25 грн
50+405.16 грн
100+363.38 грн
250+345.36 грн
800+303.83 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF
Код товару: 55495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 93 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10880/180
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+415.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 370A
Technology: HEXFET®
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+487.72 грн
10+237.02 грн
25+210.78 грн
50+195.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+226.92 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.20 грн
25+336.81 грн
50+333.40 грн
100+292.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+335.16 грн
500+317.52 грн
1000+299.88 грн
10000+272.16 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+328.86 грн
44+325.57 грн
50+322.39 грн
100+223.58 грн
500+204.97 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+226.92 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.97 грн
25+285.88 грн
50+260.04 грн
100+223.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+328.47 грн
44+325.15 грн
100+231.63 грн
500+221.19 грн
1000+202.70 грн
2000+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.09 грн
25+324.81 грн
50+321.65 грн
100+223.06 грн
500+204.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+336.81 грн
50+333.40 грн
100+292.72 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+328.79 грн
44+325.50 грн
100+287.60 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP4868; IRFP4868 INFINEON TIRFP4868
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+397.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+687.72 грн
50+500.51 грн
100+444.06 грн
200+402.80 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)
Код товару: 56397
1 Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 300 В
Струм стоку Idd, А: 70 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 25,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10774/180
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+373.77 грн
3+319.98 грн
10+274.27 грн
25+239.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.61 грн
25+347.96 грн
50+317.27 грн
100+273.53 грн
500+231.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP540 транзистор
Код товару: 92457
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP640
Код товару: 153105
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP640NIRTO-220 10+
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430International RectifierN-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+209.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+162.29 грн
1000+152.88 грн
10000+138.35 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+134.77 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.79 грн
25+227.27 грн
50+206.35 грн
100+175.23 грн
500+139.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.19 грн
116+122.43 грн
119+119.56 грн
123+111.45 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+143.36 грн
1200+141.92 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.40 грн
25+155.30 грн
50+139.63 грн
100+118.65 грн
500+96.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.54 грн
64+223.68 грн
100+216.09 грн
250+202.05 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.89 грн
25+122.13 грн
50+119.27 грн
100+111.20 грн
500+98.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+143.36 грн
1200+141.92 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.89 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.79 грн
63+227.27 грн
69+206.35 грн
100+175.23 грн
500+139.36 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.64 грн
10+158.30 грн
25+143.06 грн
50+132.90 грн
100+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.79 грн
25+165.96 грн
50+156.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
25+211.13 грн
100+173.96 грн
500+135.33 грн
1000+126.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.96 грн
10+241.84 грн
100+206.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.72 грн
77+185.34 грн
100+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.16 грн
500+177.58 грн
1000+168.17 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 341W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 281A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 2mΩ
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+455.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+259.34 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.11 грн
86+164.63 грн
100+153.93 грн
400+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF
Код товару: 202365
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+381.96 грн
59+241.84 грн
100+206.28 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 225  Наступна Сторінка >> ]