Продукція > 2N2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2896 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2896 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 140Vcbo 90Vceo 7.0Vebo 15pF 120MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2896 TIN/LEAD | Central Semiconductor | 2N2896 TIN/LEAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2896X | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 90V 1A 500mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2896X | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2897 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2897 | Solid State Inc. | Description: TRANS NPN 45V 1A TO18 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2898 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2899 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N289A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N29 | MOTOROLA | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N290 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2900 | MOTOROLA | на замовлення 38900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2903 | MOTOROLA | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2903 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6 Supplier Device Package: TO-78-6 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 1.2W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2903 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2903A | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2903A | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6 Supplier Device Package: TO-78-6 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 1.2W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2903A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2904 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2904 | NTE | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 600mW Surface Mount TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2904 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 PBFREE | Centralsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 TIN/LEAD | Central Semiconductor | PNP Silicon Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2904A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A Код товару: 173151
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2904A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A | Motorola | (PNP,0.6W,60V,0.6A,200MHZ,TO-39)(аналог КТ 867) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2904A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.6A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904AJTX | National Semiconductor | Description: 2N2SMASIGNBIPOLTRANSISTO0.660PNT Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2904S | MOTOROLA | на замовлення 55600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2905 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 4736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2905 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 40V Power dissipation: 0.6/3W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...300 Kind of package: bulk Case: TO39 Frequency: 200MHz | на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 600MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905 транзистор Код товару: 126070
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 40 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 0,6 А | товару немає в наявності
|
| |||||||||||
| 2N2905-CDI | CDIL | 2N2905-CDI 2N2905 TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V, 0.6A, 800mW BJT PNP Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2905A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 3 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 14902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905A | Central Semiconductor Corp. | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,6, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-39-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.6/3W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 50...300 Kind of package: bulk Case: TO39 Frequency: 200MHz | на замовлення 2042 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905A | CDIL | =КТ622А Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | MICROSEMI | TO39/PNP TRANSISTOR 2N2905 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | CDIL | Транзистор PNP, Uceo, В = 60, Ic = 600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °C = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-39-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905A | CDIL | PNP 600mA 60V 600mW 200MHz 2N2905A T2N2905a кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 936 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905A (біполярний транзистор NPN) Код товару: 27215
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-18 Гранична частота fT: 200 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В Струм колектора Ic, А: 0,6 А Коефіцієнт передачі струму h21: 150 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N2905A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | на замовлення 3549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A PBFREE | Central Semiconductor | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.8W; TO39 Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Kind of package: bulk Case: TO39 Frequency: 200MHz | на замовлення 380 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N2905A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 600MA 600MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.6A 0.8W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A-JQR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A-JQR-B | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905ACSM-QR-B | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin CLLCC-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905ACSM-QR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AE3 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AE3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AE3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AJANTX | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AL | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2905AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

