Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1402EonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1403
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1404
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1404ESanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1405
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1405ESanyo Electric2SA1405E
на замовлення 12748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+116.55 грн
500+104.89 грн
1000+96.72 грн
10000+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1405EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1405E - 2SA1405E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1405EonsemiDescription: TRANS PNP 120V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 12788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1406
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1406DONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1406D - 2SA1406D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1406DonsemiDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1407SANYO09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1407ESANYO Semiconductor (U.S.A) CorporationDescription: TRANS PNP 200V 0.15A TO126-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1408SAY08+ SOP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1409
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA141NECCAN
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1411-T1BM15NEC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1412-AZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1412-Z-AZRenesas2SA1412-Z-AZ
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.70 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1412-Z-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1412-Z-E1NECTO252
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1412-Z-T1-KNEC2005
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1412ZE1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413
Код товару: 36699
Додати до обраних Обраний товар
NECТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: I-Pak
Гранична частота fT, МГц: 28 МГц
Напруга Uке, В: 600 В
Напруга Uкб, В: 600 В
Струм Iк, А: 1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 120
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413(1)-AZRenesas2SA1413(1)-AZ
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.67 грн
505+69.90 грн
1000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413-AZRenesasTO252/PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413-Z-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413-Z-E1NEC2003
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413-Z-E1-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413-Z-E2-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1413ZE1
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1415
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1415SKEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1415S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.14A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.86 грн
2001+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1415S-TD-EonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1415S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1415S-TD-E - 2SA1415 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416onsemionsemi BIP PNP 1A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416SSAYNOSOT89
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TDSANYOSOT89
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.56 грн
12+35.49 грн
100+21.10 грн
250+17.46 грн
500+15.30 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1416S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -100V, -1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE =140 - 280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EON Semiconductor
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1416S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TCSONYOSOT89
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -100V, -1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE =200 - 400
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1416T-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EON Semiconductor
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 1A PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.44 грн
10+33.58 грн
100+21.73 грн
500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417onsemionsemi BIP PNP 2A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.45 грн
10+44.15 грн
100+28.81 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.02 грн
13+34.08 грн
100+23.16 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+41.02 грн
100+26.77 грн
500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-ESANYOSOT-89
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1417T-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 120MHz
Current gain: 200...400
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418onsemionsemi BIP PNP 0.7A 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-ESanyoDescription: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
887+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EOn SemiconductorТранзистор биполярный Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-ESanyo ElectricTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.49 грн
10+39.91 грн
100+26.06 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.55 грн
15+28.21 грн
100+20.85 грн
250+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 366950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+26.42 грн
10000+23.55 грн
100000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
Current gain: 200...400
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 322002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1418T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 48899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+27.76 грн
10000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.99 грн
22+35.08 грн
100+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1418T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 261340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+27.76 грн
10000+24.75 грн
100000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]