Продукція > BCP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BCP56-16TXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SC73; SOT223
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNXP/Nexperia/We-EnТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 629 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+17.80 грн
100+15.07 грн
500+13.63 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNexperiaTRANS NPN 80V 1A h21=100...250 SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
797+17.80 грн
907+15.63 грн
929+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 797 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A NPN BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-6Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
12+26.99 грн
100+16.36 грн
500+14.36 грн
1000+13.39 грн
4000+9.87 грн
8000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-6DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-6Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-F2-0000HFYYNPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz Complementary to BCP51,BCP52,BCP53 BCP56 TBCP56 c
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2500+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A NPN BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QFNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4553+7.79 грн
10000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 4553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4553+7.79 грн
10000+6.95 грн
100000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56.115
Код товару: 105722
Додати до обраних Обраний товар
NXPТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56/ZLXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610E6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5610H6327XTSA1 - BCP56 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2395+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 2395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT Y
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610MTWGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; WDFN3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN3
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V1ANPNWDFNW3 2X2
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.31 грн
100+18.16 грн
500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 25730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.29 грн
100+19.56 грн
500+13.99 грн
1000+12.58 грн
3000+10.80 грн
6000+9.73 грн
12000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610MTWGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...150MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 1000pcs.
Pulsed collector current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTCDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTCDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...150MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 4000pcs.
Pulsed collector current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.90 грн
100+10.65 грн
500+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610QTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610T1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
20+16.67 грн
100+9.11 грн
500+8.15 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5610TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.09 грн
43+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
20+15.63 грн
100+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5610TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56135NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616E6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1751+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 1751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+43.98 грн
100+24.58 грн
500+15.67 грн
1000+11.80 грн
2000+10.63 грн
5000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesТранзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.58 грн
84+9.01 грн
100+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5616H6327XTSA1 - BCP56 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 1180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP56-16InfineonTRANS NPN 80V 1A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; WDFN3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN3
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A NPN WDFNW3 2X2
на замовлення 8994 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
5+65.80 грн
10+46.36 грн
100+25.13 грн
500+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
18+16.75 грн
25+14.90 грн
100+12.07 грн
250+11.16 грн
500+10.62 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.30 грн
12+26.99 грн
100+14.91 грн
500+11.18 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...150MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 2A
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 2A
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
на замовлення 39196 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
10+35.36 грн
15+21.67 грн
100+11.94 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+21.09 грн
100+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616T1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616T3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616T3GON SemiconductorBCP5616T3G
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
515+27.58 грн
752+18.87 грн
759+18.69 грн
1016+13.46 грн
1360+9.31 грн
3000+8.85 грн
6000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.26 грн
100+10.01 грн
500+7.18 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TADiodes INC.Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.45 грн
100+10.35 грн
500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.11 грн
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]