Продукція > ECH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8419-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH | на замовлення 92980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8419-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8419-TL-H - ECH8419-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8420-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8420-TL-H | onsemi | MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES | на замовлення 4239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8420-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8420-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8420-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8420-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V | на замовлення 5211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8501 | onsemi | onsemi BIP PNP+NPN 5A 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8501-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8501-TL-H - Bipolares Transistor-Array, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, -30 V, 5 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 280MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.6W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -5A Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.6W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8501-TL-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8501-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8-ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8501-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 2082 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8501-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 5A 1600mW 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8502 | onsemi | BIP PNP+NPN 5A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8502-TL-H | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V, 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 290MHz Supplier Device Package: 8-ECH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8502-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 2595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8502-TL-H Код товару: 125900
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8502-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 5A 1600mW 8-Pin ECH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8502-TL-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 5A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8502-TL-H | ONS/FAI | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 100V, 50V 5A 290MHz 1.6W Surface Mount 8-ECH Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8503-TL-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+PNP 5A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8503-TL-H | onsemi | Description: TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: 8-ECH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8504-TL-H | onsemi | Description: BIP PNP+PNP 3A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8504-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8504-TL-H - BIP PNP+PNP 3A 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8601-TL | PHILIPS | 2002 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601-TL-E | SANYO | TO23-5 6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601-V-TL-E | HITACHI | 04+ SMD | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601M-C-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601M-C-TL-HX | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601M-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601M-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601M-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601R | SANYO | 09+ SOP8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601R-TGE | SANYO | 06+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8601R-TL-EX | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8601R-TL-EX - NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 98333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8601R-TL-EX | onsemi | Description: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 98333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8602M-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8602M-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8602M-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8602M-TL-H - ECH8602M-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8602R-TL-H | onsemi | Description: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8602R-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8602R-TL-H - NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8603-TL-E | SANYO | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8604 | SANYO | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8604-TL-E | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ECH8604-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8604-TL-E - ECH8604-TL-E, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8604-TL-E | onsemi | Description: N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8604-TL/3M3 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ECH8606-TL-H | onsemi | Description: NCH+NCH 4V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8606-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8606-TL-H - NCH+NCH 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8606-V-TL-E | SANYO | 05+PB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8607-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8607-TL-E - N-CHANNEL SILICON MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8607-TL-E | Sanyo | Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8611-TL-E | SANYO | 03+ SOT23-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8611TLE | SANYO | на замовлення 1907 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8617-TL-E | onsemi | Description: PCH+PCH 4V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8617-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8617-TL-E - PCH+PCH 4V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8619-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8620-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8620-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8620-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8622-TL-E | SANYO | 05+ SSOP8 | на замовлення 20440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8649-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Bulk Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8649-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8649-TL-H - ECH8649-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8649-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8651R-R-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | на замовлення 3000213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | на замовлення 4294967295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | onsemi | MOSFETs NCH+NCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 6604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | на замовлення 4294967295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES | на замовлення 5135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8651R-TL-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 46012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8651R-TL-HX | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8652-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8652-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8652-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8652-TL-H - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8652-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8653-S-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8653-S-TL-H - MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8653-S-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 Supplier Device Package: 8-ECH Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Bulk | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8653-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8653-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8653-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8653-TL-H - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8653-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH Supplier Device Package: 8-ECH FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 14800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 3342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | onsemi | MOSFETs SWITCHING DEVICE | на замовлення 13271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8654-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 3342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8654-TL-HQ | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8655R-R-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8655R-R-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8655R-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 9A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8655R-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8655R-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 77677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8655R-TL-H | SANYO | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ECH8655R-TL-H | onsemi | MOSFETs SWITCHING DEVICE | на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8655R-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 24V 9A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8656-TL-H | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8656-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - ECH8656-TL-H - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ECH8657 | onsemi | onsemi NCH+NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ECH8657-TL-H | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH | на замовлення 7069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

