Продукція > FP1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 22A 81W 20-Pin EASY1B-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 22A 81W 20-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 22A 81W 20-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 22A 81W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 81 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 830 pF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 22A 81W 20-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 22A; AG-EASY1B-1; Inverter; 81W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 81W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-EASY1B-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 22A Topology: NTC thermistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 22A 81W 20-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 15A 600V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06WE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 259 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06YE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06YE3B4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R06YE3_B4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 600V 15A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 27A | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3 Код товару: 31310
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP15R12KE3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT LOW PWR EASY2-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3G | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 15A PIM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3G | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 25A 105W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 105 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 100W 24-Pin ECONO2-5 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 105 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: - Produktpalette: EconoPIM 2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 100W 24-Pin ECONO2-5 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KE3GBPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2C IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 105 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KE3GBPSA1 | Infineon Technologies | Three Phase PIM IGBT Module | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KE3GBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12KE3GBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 105W Verlustleistung: 105W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 25A Produktpalette: EconoPIM 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 105W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Topology: NTC thermistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM three phase input rectifier IGBT module | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KE3GBPSA1 | Infineon Technologies | Three Phase PIM IGBT Module | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KS4C | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 15A PIM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KS4C | EUPEC | MODULE | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KS4CBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 30A 180W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 180 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KS4CBOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FP15R12KS4CBOSA1 - FP15R12KS4C 1200 V, 15 A PIM THREE PHAS euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KS4CBPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-211 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KS4CBPSA1 | Infineon Technologies | FP15R12KS4CBPSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KS4CBPSA1 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules PIM Econo2B 1200V, 15A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 18A 83.5W | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 105000mW 24-Pin ECONO2-5 Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM three phase input rectifier IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-ECONO2C Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2C Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 105 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12KT3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT4 - T4 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 25A Produktpalette: EasyPIM 1B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12NT3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 174 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12NT3 Код товару: 115030
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP15R12W1T3 | EUPEC | 15A/1200V/PIM | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4 Код товару: 128818
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP15R12W1T4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4-B3 | EUPEC | 15A/1200V/PIM | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 28 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 130W euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 28A Produktpalette: EasyPIM 1B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 28A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 28A; AG-EASY1B-2; Inverter; 130W Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 130W Application: Inverter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 23-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 23-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 28A 130W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 130 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 28A 130W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 130 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T4B3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 130 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 130W euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 15A Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 28A; AG-EASY1B-1; Inverter; 130W Case: AG-EASY1B-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 130W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4B60BOMA1 | Infineon Technologies | FP15R12W1T4B60BOMA1 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 28A 130W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 130 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 28 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 130W euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 28A Produktpalette: EasyPIM 1B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 28A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 28A; AG-EASY1B-1; Inverter; screw Case: AG-EASY1B-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 130W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Electrical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 23-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM IGBT module | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 23-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 30A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM IGBT module | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 30A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material | на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T4PBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 15A | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 15A | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T4_B3 Код товару: 161328
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP15R12W1T4_B3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Technology: EasyPIM™ 1B Power dissipation: 130W Case: AG-EASY1B-1 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T4_B3 | Infineon | IGBT, 1200В, 15А, 130W Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 23-Pin Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T7B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 15A Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter; Field Stop,Trench Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: 175°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: 175°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter; Field Stop,Trench Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: 175°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T7B3BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7B3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: 175°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T7B3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 20-Pin Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FP15R12W1T7B3BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T7B3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 15A AG-EASY1B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.82 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FP15R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 15A; AG-EASY1B-2; Inverter Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP15R12W1T7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 15A AG-EASY1B Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.82 nF @ 25 V | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

