Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STFH18N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFH18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
46+117.58 грн
92+106.11 грн
138+94.10 грн
506+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH24N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFH40N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide crep
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFHCA-VTI823TSTFHCA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFHEM250087AEssentraMounting Hardware
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFHEM250087BEssentraMounting Hardware
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFHEM720380AEssentraMounting Hardware
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFHEM720380BEssentraMounting Hardware
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFHLA12.000CDIP-6
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI10N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620 V 0.68 Ohm 8.4 A SuperMESH3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI10N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
50+116.90 грн
100+111.29 грн
500+93.19 грн
1000+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI10N65K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.75 Ohm 10 A Zener-protect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI11N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 V 8 mOhm 46 A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.28 Ohm 11A MDmesh II
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI15N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI15N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI15N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 7.5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+200.17 грн
100+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI15N95K5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI20N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI210N75F6STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 75 V, 3 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) VI, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI24N60M2STMicroelectronics
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 18A TO281
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI260N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI260N6F6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V 00024 ASTripFET Pwr MOSFE
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.09 Ohm 28 A MDmesh(TM) M5
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0078 typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI4N62K3STMicroelectronics
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+151.11 грн
100+120.26 грн
500+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI8N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N60M2STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFILED524STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4A I2PAKFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFILED625STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFILED627STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 7A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFKBKC&KSwitch Fixings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL033045AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL042055AEssentra Access SolutionsDescription: STFL042055A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL042055AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:GREEN SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL050062AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:PURPLE SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL062075AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:RUST RED SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL072087AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:BLUE SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL085100AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:WHITE SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000-FNX
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000-TA2
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000B2
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000B2-FNXFREESCALE08+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000B2FNX
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]