Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STFI260N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V 00024 ASTripFET Pwr MOSFET
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+274.69 грн
25+122.19 грн
100+108.38 грн
250+107.69 грн
500+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0078 typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.42 грн
10+464.43 грн
100+332.74 грн
500+296.85 грн
1000+276.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFI4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI4N62K3STMicroelectronics
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+149.72 грн
100+119.16 грн
500+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFI6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI6N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI8N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N60M2STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAKFP (TO-281)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFI9N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFILED524STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4A I2PAKFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFILED625STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFILED627STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 7A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFKBKC&KSwitch Fixings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL033045AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL042055AEssentra Access SolutionsDescription: STFL042055A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL042055AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:GREEN SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL050062AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:PURPLE SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL062075AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:RUST RED SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL072087AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:BLUE SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFL085100AEssentraSpiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit FLEXIBLE STAR TUBING:WHITE SILICONE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000-FNX
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000-TA2
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000B2
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000B2-FNXFREESCALE08+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000B2FNX
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000N32E-TA2
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000N32E-TB2
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFM1000XXNAEB2XNXP (VIA ROCHESTER)Description: NXP (VIA ROCHESTER) - STFM1000XXNAEB2X - RF AMPLIFIER IC'S
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+204.57 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFM360TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - STFM360 - PIR-Sensor, Decke, weiß, 360° Strahlöffnungswinkel, 8m Messbereich, 76.5mm x 82mm x 82mm
tariffCode: 85319000
Erfassungsreichweite, max.: 8m
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 230V
euEccn: NLR
Ansprechzeit: 3s
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Strahlöffnungswinkel: 360°
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1949.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFMMINITIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - STFMMINI - PIR-Sensor, bündig, weiß, 360° Strahlöffnungswinkel, 8m Messbereich, 73mm x 50mm x 50mm
tariffCode: 85319000
Erfassungsreichweite, max.: 8m
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 230V
euEccn: NLR
Ansprechzeit: 3s
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Strahlöffnungswinkel: 360°
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFN1000
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFN42STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFN42STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFN42STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFPC311STMicroelectronicsDescription: IC CTRLR/DRVR FRONT PANEL 52QFP
Current - Supply: 5 mA
Supplier Device Package: 52-PQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3V ~ 33.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: Vacuum Fluorescent (VF)
Package / Case: 52-QFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFPC311BTRSTMicroelectronicsDescription: IC DRVR CTRL FRONT PNL 52QFP
Current - Supply: 5 mA
Supplier Device Package: 52-PQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3V ~ 33.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: Vacuum Fluorescent (VF)
Package / Case: 52-QFP
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFPC311BTRSTMicroelectronicsDescription: IC DRVR CTRL FRONT PNL 52QFP
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: Vacuum Fluorescent (VF)
Package / Case: 52-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply: 5 mA
Supplier Device Package: 52-PQFP (10x10)
Voltage - Supply: 3V ~ 33.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFPC320
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFPC320BTR
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFPC320BTRSTMicroelectronicsDescription: IC CTLR/DVR FRONT PANEL 52QFP
Supplier Device Package: 52-PQFP (10x10)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFRD1-156PRO POWERDescription: PRO POWER - STFRD1-156 - Rundhülse, 22AWG bis 16AWG, 1.5 mm², Rundhülse, Rot, PVC (Polyvinylchlorid)
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Rundhülsendurchmesser: 3.9mm
isCanonical: Y
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
SVHC: To Be Advised
Klemmentyp: Rundhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG): 22AWG bis 16AWG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.88 грн
5+518.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFSQR500120AEssentraMounting Fixings
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFSQR500120BEssentraMounting Hardware
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.28 грн
10+181.01 грн
100+114.60 грн
500+95.96 грн
1000+86.98 грн
2000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFU10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.00 грн
10+96.65 грн
100+63.79 грн
500+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+75.10 грн
100+58.47 грн
500+48.74 грн
1000+43.63 грн
2000+41.97 грн
5000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU10NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
50+70.43 грн
100+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narro
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.48 грн
10+141.31 грн
100+84.22 грн
500+71.80 грн
1000+60.54 грн
5000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.11 грн
10+80.18 грн
100+62.34 грн
500+49.64 грн
1000+45.56 грн
2000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+197.68 грн
100+127.71 грн
500+105.62 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU14N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
50+121.38 грн
100+119.09 грн
500+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.63 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15N80K5 транзистор
Код товару: 214291
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU15NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.68 грн
10+359.63 грн
25+173.28 грн
100+159.47 грн
500+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFU16N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.76 грн
10+114.32 грн
100+90.43 грн
500+73.18 грн
1000+67.10 грн
2000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU23N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.93 грн
10+265.95 грн
25+202.27 грн
100+171.89 грн
250+164.99 грн
500+162.92 грн
1000+157.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFU23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.36 грн
10+248.44 грн
100+170.99 грн
500+154.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFU24N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFU24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.82 грн
10+113.56 грн
100+103.09 грн
500+86.00 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
50+109.14 грн
100+98.52 грн
500+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+116.70 грн
100+91.12 грн
500+74.56 грн
1000+68.27 грн
2000+63.51 грн
5000+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFU25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.33 грн
10+186.56 грн
100+120.81 грн
500+104.93 грн
1000+89.05 грн
2000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+172.27 грн
100+104.93 грн
500+87.67 грн
1000+80.08 грн
2000+77.32 грн
5000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]