Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4408DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4409DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI440SOP-8VISHAY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410IOR
на замовлення 21119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410(white)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410-5
на замовлення 19992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410-T1-E3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410A.09+ SOP
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410AB
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410AO
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410AU
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDYVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDYVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-E3
Код товару: 114378
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1VISHAY
на замовлення 6924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4410BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-GE3
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDYT1E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BEY-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch. FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYVishay / SiliconixMOSFETs REPLACED WITH SI4410DY-REVA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYON SemiconductorSI4410DY
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+78.87 грн
500+70.98 грн
1000+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY+118PHILIPS
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY,518NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY,518NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-A-
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-A-E3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-REVAVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-REVAVishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-REVA-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1SILICONSOP8
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-A-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-A-E3
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4410DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-JIT
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-REV
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-REVAVISHAY0
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-REVAVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1-REVA.
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-T1/REV
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-TI
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-TI-REVA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-TR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY-Y1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYPBF
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.40 грн
10+92.43 грн
25+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYT1
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYT1REVA
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRSI4410DYTR Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBFIR09+
на замовлення 40676 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4410DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DY_NL
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410TR
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410XDP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410XDY-T1
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DYVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DY
Код товару: 75417
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: /43
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4411DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412SISOP-8
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412A
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412ADYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412ADY-T1VISHAY0349+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4412ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412ADYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4412DYVISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]