Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR3706TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707TRPBF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3707TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707Z | IRFR3707Z Транзисторы HEXFET | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3707Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZC | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3707ZCTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZCTRPBF | IR | 0929NO | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZPBF | Infineon | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3707ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 55A; 40W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3707Z; IRFR3707ZTRL; IRFR3707ZTR; IRFR3707ZTRR; SP001567546; SP001578160; SP001564908; IRFR3707ZTR JGSEMI TIRFR3707z JGS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR | на замовлення 1394 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 56A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3707Z; IRFR3707ZTRL; IRFR3707ZTR; IRFR3707ZTRR; SP001567546; SP001578160; SP001564908; IRFR3707ZTR UMW TIRFR3707z UMW кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 60A; 41W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR3707Z; IRFR3707ZTRL; IRFR3707ZTR; IRFR3707ZTRR; SP001567546; SP001578160; SP001564908; IRFR3707ZTR-ML MOSLEADER TIRFR3707z MOS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC | на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 38200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 56A TO-252AA (DPAK) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF Код товару: 164053
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 38200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | UMW | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Транзистори | на замовлення 24 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708PBF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3708PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRLPBF | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3708TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3708TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709Z | TECH PUBLIC | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5mOhm; 90A; 181W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3709ZTRR; IRFR3709ZTR; IRFR3709Z TIRFR3709z TEC кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3709Z | IR | TO-252 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709Z | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZC | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3709ZC | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTR | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTR | IR | 0544+ | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3709ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3709ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR3709ZTRRPBF - IRFR3709 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 597 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 86A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3709ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3710ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3710ZPBF | International Rectifier | TO252, D-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3710ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3710ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3710ZTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

