Продукція > 2N2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2N2905ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2905ALMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-5 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2905APMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN PinD-Test Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2905APMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2905SMOTOROLA
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906onsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906MOTOROLA
на замовлення 56900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906
Код товару: 178762
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.96 грн
10+116.04 грн
100+79.76 грн
500+60.31 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906Semelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.81 грн
10+168.63 грн
25+137.56 грн
100+117.31 грн
500+96.36 грн
1000+80.30 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AMULTICOMPDescription: MULTICOMP - 2N2906A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 400
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 600
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AMOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5V 0.5A 400mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A-O-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A-O-BSemelab (TT electronics)BIPOLAR SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906ACSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin CLLCC-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906ACSMSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AJANWaldom ElectronicsDescription: 2N2906AJAN
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNPLong-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A 4SMD
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUA/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.73 грн
100+576.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUBMICROSEMIUBPNP TRANSISTOR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906AUB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906BMOTOROLA
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907
Код товару: 161911
Додати до обраних Обраний товар
CDILТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-18
fT: 200 MHz
Uке, В: 40 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
1+35.00 грн
10+31.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907MotorolaDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 20329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+285.35 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.81 грн
50+400.24 грн
100+367.99 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907CDILPNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Motorola2N2907
на замовлення 20329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+400.44 грн
100+380.36 грн
500+360.28 грн
1000+328.05 грн
10000+285.82 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907CDILТранзистор PNP; биполярный; 60В; 0,6А; 0,4/1,8Вт; TO18 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.74 грн
100+217.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907CDILPNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2907 - Bipolarer Einzeltransistor, PNP, 40V, 600mA, 1.8W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.72 грн
18+45.78 грн
100+33.97 грн
500+26.10 грн
1000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 35V 625MW 600MA PNP TO-92
Packaging: Bag
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.07 грн
69+4.39 грн
112+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 1800mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.73 грн
10+146.95 грн
100+93.57 грн
500+78.91 грн
1000+67.24 грн
2000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 600MA 400MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.5A 400mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907 TO-92
Код товару: 212319
Додати до обраних Обраний товар
CJТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uке, В: 40 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 82 шт
  • 32 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ACDILPNP, Bipolar, Uce=60V, Ic=0.6A, P=1.8W, TO-18 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AGood-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.39 грн
10+115.06 грн
100+79.12 грн
500+59.82 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.14 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+3.09 грн
568+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907Aonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotecPNP, Bipolar, Uce=60V, Ic=0.6A, hFE=200, P=625mW, TO92, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.78 грн
44+7.04 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
2000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.81 грн
50+399.12 грн
100+366.89 грн
250+350.57 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ACDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 50...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ASemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADIOTECTranzystor PNP; 300; 625mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N2907A-DIO; 2N2907A T2N2907a DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMICROSEMITO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 140219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.39 грн
20+41.79 грн
100+30.96 грн
500+23.75 грн
1000+19.62 грн
5000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ALumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
на замовлення 18611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.86 грн
58+5.30 грн
100+3.63 грн
500+2.43 грн
1000+2.22 грн
2000+1.82 грн
4000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3152+4.50 грн
4000+3.57 грн
8000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.54 грн
100+232.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ACentral Semiconductor Corp.PNP, Bipolar, Uce=60V, Ic=0.6A, hFE=100, P=1.8W, TO-18, -65...+200 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.74 грн
100+217.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 250MHz
Current gain: 300
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 9245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.05 грн
74+5.72 грн
114+3.70 грн
500+2.78 грн
1000+2.46 грн
4000+1.96 грн
8000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ARectronBipolar Transistors - BJT TO-18
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+74.44 грн
100+43.01 грн
500+33.94 грн
1000+30.58 грн
2500+28.84 грн
10000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ACDILPNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907A T2N2907a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.26 грн
8000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2907ADiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP
на замовлення 7043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.51 грн
44+7.47 грн
100+5.38 грн
500+4.33 грн
1000+3.77 грн
4000+2.79 грн
8000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]