Продукція > 2N2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2905AL | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2905AP | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN PinD-Test Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2905AP | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2905S | MOTOROLA | на замовлення 85000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2906 Код товару: 178762
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2906 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2906 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 400 mW | на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2906 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 218 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 | MOTOROLA | на замовлення 56900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2906 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | MULTICOMP | Description: MULTICOMP - 2N2906A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 400 Übergangsfrequenz ft: 200 Bauform - Transistor: TO-18 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 600 Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2906A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 218 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5V 0.5A 400mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A-O-B | Semelab (TT electronics) | BIPOLAR SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A-O-B | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 225 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906ACSM | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906ACSM | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin CLLCC-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AJAN | Waldom Electronics | Description: 2N2906AJAN | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNPLong-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: 4-SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUA/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUB | MICROSEMI | UBPNP TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2906B | MOTOROLA | на замовлення 95000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2907 | Motorola | 2N2907 | на замовлення 17589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | Motorola | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 | на замовлення 17589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz | на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 | CDIL | Транзистор PNP; биполярный; 60В; 0,6А; 0,4/1,8Вт; TO18 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 246 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 246 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 35V 625MW 600MA PNP TO-92 | на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 Код товару: 161911
Додати до обраних
Обраний товар
| CDIL | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-18 Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 40 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 0,6 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 300 | у наявності: 20 шт
|
| ||||||||||||||
| 2N2907 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 66 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2907 - Bipolarer Einzeltransistor, PNP, 40V, 600mA, 1.8W, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 3632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.8 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5V 0.5A 400mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 400MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.8 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907 TO-92 Код товару: 212319
Додати до обраних
Обраний товар
| CJ | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 40 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 0,6 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 300 | у наявності: 80 шт
|
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 | на замовлення 3627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Central Semiconductor Corp. | PNP, Bipolar, Uce=60V, Ic=0.6A, hFE=100, P=1.8W, TO-18, -65...+200 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 419 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Lumimax Optoelectronic Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 | на замовлення 18501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907A T2N2907a кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 221 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 50...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz | на замовлення 3250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 8164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.8 W, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 131041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 13184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 | на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | CDIL | PNP, Bipolar, Uce=60V, Ic=0.6A, P=1.8W, TO-18 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 246 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-18 | на замовлення 11411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec | PNP, Bipolar, Uce=60V, Ic=0.6A, hFE=200, P=625mW, TO92, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz | на замовлення 8164 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Box | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

