Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5401YTA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401YTA | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Kind of package: Ammo Pack Type of transistor: PNP Current gain: 40...200 Case: TO92 Formed Frequency: 100...400MHz Collector current: 0.6A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 150V Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar | на замовлення 17780 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | 2N5401YTA Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5401YTA | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401YTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5401ZL1 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401ZL1G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401_D10Z | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401_D28Z | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401_D81Z | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401_J05Z | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401_J61Z | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5401_S00Z | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5404 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 7 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5404 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5404 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5405 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5405 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 7.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-5AA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5405 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5406 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5406 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO-5AA Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 7 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-5AA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5406 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5407 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5407 | Microsemi | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-5 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5407 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5407 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO-5AA Power - Max: 7.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-5AA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5408 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5408 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO-111 Power - Max: 52 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-111 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5408 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5409 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Mounting Type: Stud Mount Power - Max: 52 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Transistor Type: PNP Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5409 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5409 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N540A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N541 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5410 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5410 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5410 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 52 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5411 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5411 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 52 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5411 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5412 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5412 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5413 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5414 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5415 | STM | TRANSISTOR PNP -200V -1A TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | onsemi | Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | onsemi | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Tube Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5415 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 10 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 Код товару: 182182
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5415 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5415 | TT Electronics - IoT Solutions | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5AA Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | Ignion | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 1A; 1/10W; TO39 Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Current gain: 30...150 Case: TO39 Frequency: 15MHz Collector current: 1A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 200V Power dissipation: 1/10W Polarisation: bipolar | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5415 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage | на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 200Vcbo 200Vceo 4.0Vebo 1.0A 1W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415CSM4 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 200V 1A 1000mW 4-Pin CLLCC-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415CSM4 | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415L | MOTOROLA | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5415S | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415S | ST | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5415S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415S | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5415S | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415S | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5415U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A U4 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415U4 | Microchip Technology | PNP Silicon Low-Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415UA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415UA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5415UA | MOTOROLA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5415UAC | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5415UAC | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A UA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5416 | CDIL | TRANSISTOR PNP, 350V, 1A, TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 Код товару: 17794
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-39 Гранична частота fT, МГц: 15 МГц Напруга Uке, В: 300 В Напруга Uкб, В: 350 В | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||
| 2N5416 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | STM | TRANSISTOR PNP, 350V, 1A, TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5416 | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 1/10W; TO39 Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Current gain: 30...120 Case: TO39 Frequency: 15MHz Collector current: 1A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 300V Power dissipation: 1/10W Polarisation: bipolar | на замовлення 4725 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5416 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

