Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS4310 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310Z | Infineon Technologies | AUIRFS4310Z Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 127A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Si - Arrow.com | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310Z | Infineon / IR | MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310Z-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS4310ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | International Rectifier | Description: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 72497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS4310ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 72497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4310ZTRR | Infineon Technologies | MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4410Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4410Z | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4410Z - AUIRFS4410 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4410Z | Infineon / IR | MOSFET 100V 97A 9mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4410ZTRL | Infineon / IR | MOSFET 100V 97A 9mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4410ZTRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4410ZTRL-INF | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4610 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4610TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4610TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4610TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS6535 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS6535 | Infineon / IR | MOSFET Automotive Power MOSFET; 300V 185mOhm | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS6535 (TO-263-3, D?Pak) Код товару: 163916
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRFS6535TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive Power MOSFET; 300V 185mOhm | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS6535TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS6535TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS6535TRR | Infineon / IR | MOSFET Automotive Power MOSFET; 300V 185mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8403 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8403 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8403 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8403 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS8403 - AUIRFS8403 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 227 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8403 | Infineon Technologies | Description: AUIRFS8403 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8403TRL | Infineon Technologies | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8403TRL | International Rectifier | Description: AUIRFS8403 - 20V-40V N-CHANNEL A Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8403TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8403TRR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8403TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8405 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A | на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8405 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8405TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8405TRL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS8405TRL - AUIRFS8405 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 215 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8405TRL | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8405TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8407 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS8407-7P - AUIRFS8407 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8407-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7P | International Rectifier | AUIRFS8407-7P MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Силові MOSFET-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7P | Infineon Technologies | MOSFETs 40V SGL N-CH HEXFET 1.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8407-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs 40V SGL N-CH HEXFET 1.3mOhms | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8407-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407-7TRR | Infineon / IR | MOSFET 40V SGL N-CH HEXFET 1.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8407TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8407TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8407TRR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8408 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8408 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | Infineon | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 397А; 294Вт; D2PAK-7 Силові MOSFET-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 397A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-900 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | International Rectifier | AUIRFS8408-7P AUIRFS84087P Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40?; 397А; 294Вт; D2PAK-7 Силові MOSFET-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS8408-7P - AUIRFS8408 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 397A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-900 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 397A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408-7TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-900 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408TRL | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8408TRR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8409 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS8409 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |