Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4C908NAT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C908NAT1G - TRENCH 6 30V NCH. tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4C908NAT1G | onsemi | Description: TRENCH 6 30V NCH Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4C908NAT3G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 30V NCH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4C908NAT3G | onsemi | Description: TRENCH 6 30V NCH Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4C908NAT3G | onsemi | Description: TRENCH 6 30V NCH Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4C910NBT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C910NBT1G - TRENCH 6 30V NCH. tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4C910NBT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4C910NBT1G - TRENCH 6 30V NCH. tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D0N04XMT1G | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08X | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4D0N08X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 119 A, 0.0035 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08XT1G | onsemi | MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.5mohm, 119 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.5mohm, 119 A | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08XT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 119A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08XT1G | onsemi | Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V | на замовлення 5123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08XT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 119A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08XT1G | onsemi | Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D0N08XT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 119A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | onsemi | Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc) Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | onsemi | MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | onsemi | Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4D5N08XT1G | onsemi | MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4D7N04XMT1G | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 269A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3923 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 151159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT1G | onsemi | MOSFET FETKY SO8FL 25V 35A | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 269A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3923 pF @ 12 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT3G | onsemi | MOSFET FETKY SO8FL 25V 35A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H013NFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 54A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT1G | onsemi | MOSFET FETKY SO8FL 25V 334A 700M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 54A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NFT3G | ON Semiconductor | MOSFET FETKY SO8FL 25V 334A 700M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 54A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 333 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 54A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 54A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H01NT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO | на замовлення 4633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4H02NFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 193 A, 0.009 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24.6W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS4H02NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 193A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2652 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NFT1G | ON Semiconductor | MOSFET FETKY SO8FL 25V 193A 1.4M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 8775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS4H02NFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NFT3G | ON Semiconductor | MOSFET FETKY SO8FL 25V 193A 1.4M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NT1G | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 128 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 25V 193A 1.4MO | на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS4H02NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS4H02NT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 25V 193A 1.4MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 1 6MOHM | на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5830NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 172A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5832NLT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 110A 4.2MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5832NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 111A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 83 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTMFS5834NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | на замовлення 49785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1110 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5834NLT1G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 40V 74A 9.3 mOhm Single N-Channel SO-8FL Logic Level Power MOSFET 40 V, 74 A, 9.3mOhm Single N-Channel SO-8 FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5834NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5844NL | onsemi | MOSFET 20V 10A P-Channel | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5844NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11.2A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5844NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN | на замовлення 7459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5844NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11.2A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5844NLT1G | onsemi | MOSFET 60V NCH T2 SO8FL | на замовлення 17234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5844NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C404N | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 373A 750MO | на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 238500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | на замовлення 241984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 342A | на замовлення 1500 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 342A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTWFT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 342A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

