Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP2002QST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QFPSUN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QFP/100-4156-05
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2003QFPN/A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200GX
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
50+72.44 грн
100+65.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 176.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.16 грн
10+84.14 грн
50+72.29 грн
100+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N4F3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V 120 A PAK TO-22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ III
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.91 грн
10+128.67 грн
25+109.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.64 грн
2000+84.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.64 грн
2000+84.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 120 Amp
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.87 грн
50+100.23 грн
100+90.45 грн
500+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04
Код товару: 107279
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04L
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 V 3 mOhm 120 A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2012QFD
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2014QFPSUNQFP160
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2016QFPSUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2024QFPSUN
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2045CT
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2083PYMMersenSurge Suppressors Three Phase 50Hz/60Hz 20kA 120VAC/208VAC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+93686.75 грн
3+92281.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 3P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 3P,FC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP T1 75KA 208Y/120V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V ALM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP T1 75KA 208Y/120V ALM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 4P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V ALM N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 4P,FC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V ALM N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20H100CT
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20L60CT
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20LCD150CFP
на замовлення 19820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20MN60FD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N06
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N06FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10LFI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10LFP
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60C3
на замовлення 19879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.17 грн
10+148.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.38 грн
10+312.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.58 грн
10+388.40 грн
50+310.12 грн
100+267.42 грн
500+226.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+332.32 грн
46+311.50 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.72 грн
10+299.55 грн
100+298.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5
Код товару: 183973
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMMOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+299.55 грн
100+298.80 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+669.85 грн
37+385.16 грн
100+347.05 грн
500+291.50 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5
Код товару: 181726
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A STP20N95K5 TSTP20N95K5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+354.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.99 грн
10+386.39 грн
100+348.16 грн
500+292.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+470.40 грн
50+302.00 грн
100+280.36 грн
200+265.81 грн
500+240.24 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+488.63 грн
5+320.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.25 грн
10+431.59 грн
50+345.32 грн
100+298.03 грн
500+252.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06ST07+;
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06/NF06ST09+ SOP20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06FP
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LSTMN-кан. MOSFET 60V, 20A, TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]