Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP2-0000000000TE ConnectivityRetaining Spring Pliers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2000QFPSUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2001
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2001QST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2001QFPSUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20020FPSUNQFP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20020FP100-4156-05QFP240
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QFPSUN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QFP/100-4156-05
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2003QFPN/A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200GX
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.58 грн
10+67.00 грн
50+56.24 грн
100+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 176.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.74 грн
50+70.78 грн
100+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+120.24 грн
10+56.49 грн
100+43.84 грн
500+34.57 грн
1000+32.09 грн
2000+32.03 грн
10000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N4F3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V 120 A PAK TO-22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.62 грн
2000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.08 грн
50+97.93 грн
100+88.37 грн
500+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ III
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.65 грн
10+116.62 грн
25+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.62 грн
2000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF03STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 120 Amp
на замовлення 926 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+211.57 грн
10+108.02 грн
100+81.54 грн
500+67.19 грн
1000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04
Код товару: 107279
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 V 3 mOhm 120 A STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04L
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP2012QFD
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2014QFPSUNQFP160
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2016QFPSUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2024QFPSUN
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2045CT
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2083PYMMersenSurge Suppressors Three Phase 50Hz/60Hz 20kA 120VAC/208VAC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+94732.36 грн
3+93311.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 3P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V ALM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y05MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 3P,FC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP T1 75KA 208Y/120V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP T1 75KA 208Y/120V ALM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208Y07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V ALM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+42383.08 грн
5+41776.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 4P
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05MMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: STP50 50KA,208/120V Y, 4P,FC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN05MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 50kA 208Y/120V ALM N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP208YN07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 208Y/120V ALM N-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20H100CT
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20L60CT
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20LCD150CFP
на замовлення 19820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20MN60FD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N06
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N06FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10LFI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N10LFP
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60C3
на замовлення 19879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.89 грн
10+183.20 грн
50+142.00 грн
100+120.81 грн
500+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Version: ESD
Drain current: 11.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Polarisation: unipolar
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.25 грн
6+158.80 грн
10+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+277.02 грн
10+140.28 грн
100+110.24 грн
500+90.67 грн
1000+87.41 грн
2000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMMOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.41 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+535.01 грн
10+281.31 грн
100+217.22 грн
500+207.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+516.08 грн
100+489.92 грн
500+464.95 грн
1000+423.12 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.40 грн
10+371.53 грн
50+296.67 грн
100+255.83 грн
500+216.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+516.08 грн
100+489.92 грн
500+464.95 грн
1000+423.12 грн
10000+368.42 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N90K5
Код товару: 183973
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.49 грн
10+390.70 грн
100+352.05 грн
500+295.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.16 грн
10+421.70 грн
50+337.40 грн
100+291.20 грн
500+246.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.43 грн
5+313.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.