Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR540ZPBF
Код товару: 54258
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ptot, Вт = 91, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+77.64 грн
150+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
на замовлення 10930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF
Код товару: 170490
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.62 грн
10+87.16 грн
50+65.66 грн
100+55.12 грн
500+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 91, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.93 грн
10+85.02 грн
100+63.33 грн
500+51.12 грн
1000+44.17 грн
2000+39.52 грн
4000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.67 грн
547+64.50 грн
1000+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.67 грн
547+64.50 грн
1000+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.12 грн
10+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+119.64 грн
165+85.54 грн
222+63.70 грн
500+51.43 грн
1000+44.44 грн
2000+39.76 грн
4000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.67 грн
547+64.50 грн
1000+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.67 грн
547+64.50 грн
1000+59.49 грн
10000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; Replacement: IRFR5410TR; IRFR5410TRL; IRFR5410; IRFR5410-GURT IRFR5410 TIRFR5410 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410International RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.59 грн
25+116.66 грн
100+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410
Код товару: 1670
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 5,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,6 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410PBF - IRFR5410 100V SINGLE P-CHANNEL POWER MO
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBF
Код товару: 37144
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 66 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 38760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.51 грн
500+181.10 грн
1000+170.52 грн
10000+155.36 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118; IRFR5410TR JSMICRO TIRFR5410 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.46 грн
2001+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
на замовлення 8682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 19006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+61.18 грн
50+45.56 грн
100+38.00 грн
500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.94 грн
4000+36.57 грн
6000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.94 грн
4000+36.57 грн
6000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.89 грн
10+81.24 грн
25+80.42 грн
50+60.88 грн
100+50.82 грн
250+48.30 грн
500+36.98 грн
1000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.42 грн
10+67.21 грн
100+47.66 грн
250+42.16 грн
500+38.60 грн
1000+35.47 грн
2000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 25992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 16771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.38 грн
6000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInternational RectifierD-PAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.17 грн
154+91.87 грн
250+88.18 грн
500+81.97 грн
1000+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+117.89 грн
174+81.24 грн
176+80.42 грн
224+60.88 грн
248+50.82 грн
251+48.30 грн
500+36.98 грн
1000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 66W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 25992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.57 грн
4000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.46 грн
4000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInternational RectifierIRFR5410TRPBF -100 В -13 А (TO-252) D-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.72 грн
6000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInternational RectifierD-PAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.26 грн
500+71.34 грн
1000+65.79 грн
10000+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.77 грн
6000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.62 грн
10+87.23 грн
50+65.70 грн
100+55.15 грн
500+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR5410TRRPBF
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.26 грн
500+71.34 грн
1000+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 157mOhm; 9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR UMW TIRFR5505 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505ir09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505CTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.26 грн
35+21.55 грн
50+20.45 грн
100+18.62 грн
250+17.58 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBF
Код товару: 49825
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 650/32
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9,6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFIRFR5505PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR HXY MOSFET TIRFR5505 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505 TIRFR5505
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR JGSEMI TIRFR5505 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]