Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.21 грн
4000+38.05 грн
6000+37.68 грн
10000+35.59 грн
14000+32.00 грн
20000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFTYSMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 166 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.22 грн
4000+28.73 грн
6000+27.56 грн
10000+24.64 грн
14000+23.91 грн
20000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.52 грн
6+70.62 грн
10+60.75 грн
25+48.87 грн
50+41.59 грн
100+35.98 грн
500+27.86 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.13 грн
203+69.83 грн
247+57.36 грн
500+45.33 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineonMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
14+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.90 грн
4000+37.75 грн
6000+37.39 грн
10000+35.33 грн
14000+31.75 грн
20000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.59 грн
16+48.03 грн
100+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 49807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 59839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.75 грн
10+70.57 грн
100+47.08 грн
500+34.72 грн
1000+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215
Код товару: 170820
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 860/66
Монтаж: SMD
у наявності: 122 шт
  • 83 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+34.00 грн
10+30.60 грн
100+27.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 13 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 295 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+77.64 грн
150+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.73 грн
189+74.97 грн
242+58.46 грн
320+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.34 грн
10+87.36 грн
100+58.95 грн
500+43.91 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.87 грн
10+75.73 грн
25+74.97 грн
100+56.37 грн
250+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF
Код товару: 187580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFARMA1International Rectifier HiRel ProductsIRFR6215TRLPBFARMA1
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+83.87 грн
500+75.49 грн
1000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.37 грн
10+90.29 грн
25+74.06 грн
50+63.60 грн
100+55.14 грн
250+46.61 грн
500+41.92 грн
1000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 14030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.57 грн
10+75.16 грн
100+50.31 грн
500+37.20 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.16 грн
4000+47.16 грн
6000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.60 грн
4000+30.89 грн
6000+29.66 грн
10000+26.53 грн
14000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR6215TRRPBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+83.87 грн
500+75.49 грн
1000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR6215TRRPBF - IRFR6215 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440PBFInternational RectifierMOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRInfineonTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IRFR7440TR IRFR7440-GURT IRFR7440 INFINEON TIRFR7440
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,8mOhm; 180A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7440; IRFR7440TR; SP001555130; SP001573310; IRFR7440TR UMW TIRFR7440 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.64 грн
10+84.65 грн
100+57.30 грн
500+42.77 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.71 грн
10+94.24 грн
100+71.56 грн
500+58.47 грн
1000+54.07 грн
2000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF
Код товару: 208603
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInternational RectifierMOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.71 грн
150+94.24 грн
198+71.56 грн
500+58.47 грн
1000+54.07 грн
2000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.10 грн
132+107.08 грн
250+102.78 грн
500+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446PBF
Код товару: 164478
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446PBFInfineon / IRMOSFET MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 56A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.88 грн
1000+44.15 грн
10000+39.36 грн
100000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.03 грн
4000+24.95 грн
6000+23.91 грн
10000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.67 грн
11+73.55 грн
100+54.68 грн
500+42.80 грн
1000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.98 грн
21+37.03 грн
25+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.72 грн
4000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Power dissipation: 98W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.67 грн
192+73.55 грн
259+54.68 грн
500+42.80 грн
1000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.72 грн
4000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
на замовлення 10837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.45 грн
10+62.13 грн
100+41.29 грн
500+30.32 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540InfineonTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540PBFInfineon / IRMOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540PBFInternational RectifierMOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]