Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK763R4-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5708 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.56 грн
500+59.53 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 203
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
10+103.09 грн
100+83.76 грн
500+63.19 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 89600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
10000+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaMOSFET BUK763R6-40C/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80ENEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 778A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 80V
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+323.77 грн
100+260.14 грн
500+204.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NexperiaMOSFETs BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.32 грн
10+226.26 грн
100+139.45 грн
500+120.81 грн
800+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.56 грн
10+190.93 грн
100+135.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.94 грн
10+323.77 грн
100+260.14 грн
500+204.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R8-80E - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R8-80E - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+92.42 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+153.56 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118NexperiaMOSFETs BUK763R9-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.89 грн
10+181.80 грн
100+115.29 грн
500+96.65 грн
800+88.36 грн
2400+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E/GFJNXP USA Inc.Description: TRANS N-CH D2PAK
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100APHILIPSTO-263
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+111.14 грн
100+78.01 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7640-100A - POWE
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+88.94 грн
5600+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.02 грн
10+132.30 грн
100+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.77 грн
1600+65.09 грн
2400+62.54 грн
4000+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK764R0-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+98.43 грн
5600+94.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 40V 75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK764R0-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+172.98 грн
100+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaMOSFETs BUK764R0-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.51 грн
10+179.42 грн
25+133.24 грн
100+118.74 грн
500+111.84 грн
800+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 774A; 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 774A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 55V
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.18 грн
1600+106.51 грн
2400+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 75V 199A 3pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK764 - N-CHANNEL MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R055B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 136nC
On-state resistance: 10.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 324W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 713A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 80V
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NexperiaMOSFETs BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NXP SemiconductorsBUK764R2-80E,118
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40BPHILIPSTO-263
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+164.19 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4824 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+164.19 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4824 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R340B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+263.42 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NexperiaMOSFETs BUK764R4-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.56 грн
10+169.10 грн
100+102.86 грн
500+79.39 грн
800+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 620A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
500+177.19 грн
1000+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
500+177.19 грн
1000+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.49 грн
10+222.87 грн
100+158.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaMOSFETs BUK765R0-100E/SOT404/D2PAK
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+214.35 грн
100+136.00 грн
500+110.45 грн
800+101.48 грн
2400+96.65 грн
4800+92.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40BNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118
Код товару: 178127
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.80 грн
500+98.83 грн
1000+91.14 грн
10000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 143A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.80 грн
500+98.83 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.80 грн
500+98.83 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK765R2-40B,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.80 грн
500+98.83 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK765R2-40B 75A, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R240B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK765R3-40E,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E118Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA BUK765R3-40E - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]