Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50 54  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK763R6-40C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80ENEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 778A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 169nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NexperiaMOSFETs BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
10+192.70 грн
100+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R8-80E - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R8-80E118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R8-80E - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118NexperiaMOSFETs BUK763R9-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R9-60E/GFJNXP USA Inc.Description: TRANS N-CH D2PAK
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100APHILIPSTO-263
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640-100A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7640-100A - POWE
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7640100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK764R0-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 40V 75A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+88.75 грн
5600+86.54 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.25 грн
10+137.75 грн
100+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.75 грн
1600+67.74 грн
2400+65.10 грн
4000+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+98.21 грн
5600+94.62 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+136.72 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+174.58 грн
100+141.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK764R0-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NexperiaMOSFETs BUK764R0-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 774A; 300W
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 774A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 86nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.37 грн
1600+107.50 грн
2400+101.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 75V 199A 3pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK764 - N-CHANNEL MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-75C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R055B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NexperiaMOSFETs BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+112.64 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 713A
Power dissipation: 324W
Gate charge: 136nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R2-80E,118NXP SemiconductorsBUK764R2-80E,118
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40BPHILIPSTO-263
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4824 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R3-40B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4824 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R340B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 620A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+228.65 грн
500+216.87 грн
1000+203.90 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NexperiaMOSFETs BUK764R4-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
500+292.30 грн
1000+275.80 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaMOSFETs BUK765R0-100E/SOT404/D2PAK
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
500+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
500+292.30 грн
1000+275.80 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.72 грн
10+224.93 грн
100+160.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40BNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.56 грн
500+98.61 грн
1000+90.93 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.56 грн
500+98.61 грн
1000+90.93 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK765R2-40B,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118
Код товару: 178127
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.56 грн
500+98.61 грн
1000+90.93 грн
10000+78.18 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 143A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.56 грн
500+98.61 грн
1000+90.93 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R2-40B118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK765R2-40B 75A, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R240B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK765R3-40E,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R3-40E118Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA BUK765R3-40E - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 14556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+115.76 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.03 грн
100+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK766R0-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.00458 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 182
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00458
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00458
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50 54  Наступна Сторінка >> ]