Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5C404NLTWFT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 342A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NLTWFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 189381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 378A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V | на замовлення 187381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 378A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V | на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NLT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NT1G | onsemi | MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NT1G | ON Semiconductor | Description: T6 40V SG NCH SO8FL HEFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C406NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NL | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 312A 900MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | ONN | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 330A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 820µΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 312A 900MO | на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) | на замовлення 23848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT1G-01 | On Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 46A/302A DFN-5 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 312A 900MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLT3G | ONN | на замовлення 4850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT1G | ONN | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 312A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 312A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTWFT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 312A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTWFT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 40V 312A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V | на замовлення 15561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | onsemi | MOSFETs T6D3F 40V NFET | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ONN | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 167665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G-01 | ON Semiconductor | NTMFS5C410NT1G-01 | на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | ON Semiconductor | на замовлення 4950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | onsemi | MOSFETs T6D3F 40V NFET | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NL | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 150A 2MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 150 A, 2.0mohm Power MOSFET 40 V, 2.0 mohm, 150 A, Single N-Channel | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT3G | ON Semiconductor | на замовлення 4964 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT3G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 40V 150A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C423NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V | на замовлення 84988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | onsemi | MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE | на замовлення 1500 шт: термін постачання 1157-1166 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 128W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V | на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 235A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G Код товару: 165532
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | onsemi | MOSFETs T6D3F 40V NFET | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|