Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.49 грн
10+390.70 грн
100+352.05 грн
500+295.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.16 грн
10+421.70 грн
50+337.40 грн
100+291.20 грн
500+246.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 70A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.43 грн
5+313.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06ST07+;
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06/NF06ST09+ SOP20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06FP
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LSTMN-кан. MOSFET 60V, 20A, TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06L
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LFPSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LFPSTMN-кан. MOSFET 60V, 13A, 0.06Ом, 30Вт, TO-220FP (STripFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE06LFP
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NE10STTO-220
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06STMN-channel 60V - 0.06. - 20A - TO-220/TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06FP
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMN-channel 60V - 0.06. - 20A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LISCLogic N-MOSFET 20A 60V 60W 0.06Ω STP20NF06L TSTP20NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LimportLogic N-MOSFET 20A 60V 60W 0.06Ω STP20NF06L TSTP20NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.12 грн
2000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.15 грн
10+96.40 грн
50+72.98 грн
100+61.38 грн
500+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.78 грн
232+61.66 грн
500+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.12 грн
2000+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+151.45 грн
10+72.92 грн
100+56.69 грн
500+44.94 грн
1000+42.27 грн
2000+40.05 грн
4000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.08 грн
5+105.87 грн
10+92.64 грн
25+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.01 грн
50+63.98 грн
100+61.85 грн
500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 29 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+435.31 грн
10+275.31 грн
100+182.65 грн
500+159.82 грн
1000+154.60 грн
2000+152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.18 грн
50+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+163.96 грн
100+158.48 грн
500+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+166.14 грн
100+160.59 грн
500+150.42 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50Z транзистор
Код товару: 207514
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM150FP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1480 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.12 грн
54+264.43 грн
100+243.49 грн
500+225.86 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50
Код товару: 2175
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1480/40
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 33 шт
  • 5 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.91 грн
10+302.67 грн
50+239.64 грн
100+205.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMN-кан. MOSFET 550V, 20A, 0.25Ом, -55...+150, TO-220 (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.67 грн
10+264.79 грн
100+243.83 грн
500+226.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 839 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+461.95 грн
10+243.05 грн
100+193.74 грн
500+192.43 грн
1000+172.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.14 грн
10+218.36 грн
25+205.12 грн
50+196.02 грн
100+186.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMMOSFET N-CH 500V 20A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 708 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+559.36 грн
10+300.07 грн
100+239.40 грн
500+222.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 53nC
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+165.09 грн
93+153.75 грн
94+152.23 грн
100+146.47 грн
500+133.39 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.87 грн
10+392.74 грн
50+313.60 грн
100+270.42 грн
500+228.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.32 грн
10+153.97 грн
50+152.44 грн
100+146.67 грн
500+133.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPSTMN-кан. MOSFET 550V, 20A, 0.25Ом, -55...+150, TO-220ISO (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPST
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FP-SA1STTO220F 2007Дк1ФВ
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FP-SA1
Код товару: 33019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FP.STP20NM60FP
на замовлення 18498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50Z
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 54nC
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+399.94 грн
10+243.17 грн
50+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMN-кан. MOSFET 60V, 20A, 0.29Ом, -55...+150, TO-220-3 (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60ASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60ASTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMN-кан. MOSFET 650V, 20A, 0.29Ом, -55...+150, TO-220ISO (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+242.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.68 грн
10+377.86 грн
50+301.90 грн
100+260.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+242.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FD
Код товару: 91778
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+448.93 грн
10+327.53 грн
50+276.25 грн
100+254.75 грн
250+226.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+319.64 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.