Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP20NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LISCLogic N-MOSFET 20A 60V 60W 0.06Ω STP20NF06L TSTP20NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF06LimportLogic N-MOSFET 20A 60V 60W 0.06Ω STP20NF06L TSTP20NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.11 грн
2000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.49 грн
50+72.85 грн
100+65.29 грн
500+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.46 грн
5+105.42 грн
10+92.24 грн
25+87.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.02 грн
50+63.00 грн
100+60.90 грн
500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.11 грн
2000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+62.79 грн
232+60.71 грн
500+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+91.60 грн
100+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+91.31 грн
156+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.80 грн
50+203.64 грн
100+185.92 грн
500+145.36 грн
1000+136.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 190W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.66 грн
50+149.07 грн
500+139.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NK50Z транзистор
Код товару: 207514
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM150FP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMN-кан. MOSFET 550V, 20A, 0.25Ом, -55...+150, TO-220 (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+573.55 грн
45+317.32 грн
46+311.11 грн
50+295.91 грн
100+253.18 грн
250+240.62 грн
500+209.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+423.95 грн
10+235.54 грн
25+220.72 грн
50+209.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.46 грн
50+244.29 грн
100+223.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMMOSFET N-CH 500V 20A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.74 грн
10+317.43 грн
25+311.22 грн
50+296.01 грн
100+253.27 грн
250+240.71 грн
500+209.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50
Код товару: 2175
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1480/40
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 37 шт
  • 22 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1480 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 53nC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.32 грн
50+140.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.36 грн
50+180.50 грн
100+178.54 грн
500+167.54 грн
1000+152.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+180.44 грн
100+178.48 грн
500+167.48 грн
1000+152.84 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPSTMN-кан. MOSFET 550V, 20A, 0.25Ом, -55...+150, TO-220ISO (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FPST
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FP-SA1
Код товару: 33019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FP-SA1STTO220F 2007Дк1ФВ
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50FP.STP20NM60FP
на замовлення 18498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50Z
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMN-кан. MOSFET 60V, 20A, 0.29Ом, -55...+150, TO-220-3 (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.91 грн
50+233.74 грн
100+214.06 грн
500+192.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+204.46 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STM
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 54nC
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.01 грн
50+195.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60ASTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60ASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.00 грн
10+297.91 грн
100+267.49 грн
1000+249.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+467.41 грн
10+312.14 грн
50+233.90 грн
100+209.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMN-кан. MOSFET 650V, 20A, 0.29Ом, -55...+150, TO-220ISO (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.30 грн
50+307.78 грн
100+282.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.89 грн
48+296.39 грн
100+266.13 грн
1000+248.60 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 12744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+296.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FD
Код товару: 91778
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+314.70 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+303.18 грн
100+296.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+493.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.22 грн
50+217.79 грн
100+210.93 грн
500+192.14 грн
1000+174.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FP
Код товару: 42082
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+318.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 25, Qg, нКл = 54 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+369.30 грн
100+350.57 грн
500+318.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+472.73 грн
10+295.67 грн
50+233.90 грн
100+222.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+216.67 грн
100+209.85 грн
500+191.15 грн
1000+173.28 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTN-MOSFET 20A 600V 45W STP20NM60FP TSTP20NM60FP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+210.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM60FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.53 грн
50+301.60 грн
100+277.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM65N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20S100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20S100CT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP210F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP210MWF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP210N75F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]