Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS17N20DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRR
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS17N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z0IRSOT-89
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z0 TRRROHMSOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z0TRL
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS1Z3TR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS21368DS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DInternational Rectifier/InfineonMOSFET N-CH 150V 23A D2PAK, Vdss В 150V, Id x, Ptot, Вт 3.8W,... Транзистори Корпус: TO-263 (D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 0,09 Ом @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DPBFInternational RectifierSMPS MOSFET, 150V, 23A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.88 грн
10+157.74 грн
25+150.74 грн
100+117.08 грн
250+107.39 грн
500+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N15DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DInternational Rectifier/InfineonMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK... Транзистори Корпус: TO-263 (D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFInfineonSingle N-Channel 200 V 3.8 W 57 nC, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.8
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V Single NChannel HEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS240BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS240BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS240B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS250
на замовлення 30951 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS250B
Код товару: 77929
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PF
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 21,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,071 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+19.50 грн
10+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS250BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254B
Код товару: 77968
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PF
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+31.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254BFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS254BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254BFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS254BFP001ON SemiconductorIRFS254BFP001
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.35 грн
1053+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 400, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9130 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В , Rds = 1.25 мОм @ 195 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+394.50 грн
10+359.93 грн
50+335.92 грн
100+309.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBF
Код товару: 60555
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 240
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,25 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9130/160
Монтаж: SMD
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+165.00 грн
10+149.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.74 грн
1600+106.13 грн
2400+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.66 грн
10+231.15 грн
25+229.65 грн
100+220.00 грн
250+202.36 грн
500+192.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.18 грн
1600+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.64 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 240A 1.2mOhm 160nC Qg
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.88 грн
10+195.87 грн
100+167.93 грн
800+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.43 грн
10+204.02 грн
100+144.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.66 грн
62+229.65 грн
100+220.00 грн
250+202.36 грн
500+192.97 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.27 грн
1600+151.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 172800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
1000+169.34 грн
10000+153.09 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.13 грн
71+199.73 грн
73+195.22 грн
74+186.34 грн
100+138.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.13 грн
10+199.73 грн
25+195.22 грн
50+186.34 грн
100+138.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006
Код товару: 99506
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 207 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8850/200
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+92.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006-7PInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006-7P транзистор
Код товару: 62684
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 240 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8850/200
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+155.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006-7PPBFInfineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006-7PPBFInfineon / IRMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS30067PPBFInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 200nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.85 грн
68+207.92 грн
100+202.27 грн
200+175.76 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]