Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.82 грн
1600+48.32 грн
2400+40.98 грн
4000+39.13 грн
5600+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.41 грн
126+113.11 грн
250+108.58 грн
500+100.92 грн
1000+90.40 грн
2500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+118.08 грн
123+116.03 грн
153+93.14 грн
200+84.81 грн
500+57.77 грн
1000+53.29 грн
2000+53.18 грн
6400+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.40 грн
500+50.30 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.79 грн
1600+48.30 грн
2400+40.96 грн
4000+39.11 грн
5600+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 14124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.04 грн
10+85.48 грн
100+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.58 грн
1600+49.70 грн
2400+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.79 грн
200+70.93 грн
250+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
10+91.24 грн
100+62.40 грн
500+50.30 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DPBF IR транзистор
Код товару: 60357
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.28 грн
1600+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.77 грн
1600+128.78 грн
2400+86.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.02 грн
10+187.37 грн
100+144.19 грн
500+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.04 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.36 грн
1600+131.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.81 грн
2400+140.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.79 грн
10+192.72 грн
100+119.41 грн
500+109.63 грн
800+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.21 грн
4800+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+191.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.97 грн
1600+157.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.48 грн
78+183.33 грн
100+177.66 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
10+222.55 грн
100+156.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.04 грн
10+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.31 грн
4800+143.74 грн
9600+133.75 грн
14400+121.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.76 грн
1600+157.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.72 грн
69+207.90 грн
100+202.23 грн
500+154.91 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.19 грн
500+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.17 грн
1600+110.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.39 грн
2400+142.47 грн
4800+138.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+192.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.24 грн
1600+114.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPBFIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010
Код товару: 99512
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9830/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7P
Код товару: 99513
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9830/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010PBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 150A; 312W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFS4010; IRFS4010TRL; IRFS4010TRR; SP001578304; SP001550124; SP001576222; IRFS4010TRL JGSEMI TIRFS4010 JGS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLimportN-MOSFET 180A 100V 375W Substitute: IRFS4010TRL; IRFS4010-GURT; IRFS4010; IRFS4010TRR; IRFS4010 TIRFS4010
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP
Код товару: 142952
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+314.68 грн
50+302.40 грн
100+235.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.22 грн
1600+84.60 грн
2400+81.47 грн
4000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.87 грн
250+118.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.26 грн
64+222.08 грн
100+186.16 грн
500+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.93 грн
65+220.84 грн
108+132.29 грн
800+122.70 грн
1600+110.84 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.49 грн
1600+106.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.35 грн
10+169.44 грн
100+108.23 грн
500+83.79 грн
800+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.90 грн
1600+119.73 грн
2400+117.68 грн
4000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.64 грн
10+191.44 грн
50+166.19 грн
100+130.87 грн
250+118.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
10+167.41 грн
100+117.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 46064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+135.84 грн
1000+128.76 грн
10000+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.06 грн
1600+111.71 грн
2400+111.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.20 грн
1600+114.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.22 грн
1600+120.02 грн
2400+117.96 грн
4000+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]