Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3306TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 230W Pulsed drain current: 620A | на замовлення 374 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | на замовлення 6092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307Z | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307Z Код товару: 99511
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 75 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,6 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4750/79 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZPBFTRL | INTERNATIONAL RECTIFIER S.E. | 0652 | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 90142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 50400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 37713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS33N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15D | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 216 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS33N15DTRLP-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO263-3-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507PBF | International Rectifier | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 75V, RDS(ON) 7 Milliohms, ID 97A, D2Pak, PD 190W, VGS +/-20V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507PBF Код товару: 109173
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3507PBF | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFS3507TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS350A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS350A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 147 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS350A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFS3607PBF - IRFS3607 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg | на замовлення 3246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 11397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 11397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 5057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFS3607TRLPBF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 5057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3607TRLPBF Код товару: 200325
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| irfs37n50a | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFS3806 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806PBF Код товару: 143751
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFS3806PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 68800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|