Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS4010TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020PBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH DIGITAL AUDIO HEXFET SWITCH
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.84 грн
105+136.08 грн
112+127.58 грн
200+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs Aud MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC Qg
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.75 грн
10+113.23 грн
100+69.48 грн
800+56.07 грн
2400+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 100W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.33 грн
10+127.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115
Код товару: 99514
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 150 V
Idd,A: 105 A
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5320/73
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+110.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7P
Код товару: 99515
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 150 V
Idd,A: 105 A
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5320/73
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7PInternational RectifierN-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+208.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineonMOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
500+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.83 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 105A 11.8mOhm 73nC Qg
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.30 грн
10+228.06 грн
100+161.30 грн
500+140.35 грн
800+124.99 грн
4800+122.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+220.89 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
500+210.26 грн
1000+198.45 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.43 грн
63+227.41 грн
100+219.70 грн
250+205.43 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.25 грн
10+166.19 грн
100+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+138.38 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+220.89 грн
500+209.08 грн
1000+197.27 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.23 грн
10+190.70 грн
100+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.83 грн
1600+107.41 грн
2400+106.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+171.28 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 195 A, Ptot, Вт = 375, Udss, В = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 12.1 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+171.28 грн
1000+158.29 грн
10000+135.55 грн
100000+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+441.25 грн
34+422.29 грн
50+406.20 грн
100+378.41 грн
250+339.74 грн
500+317.29 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.09 грн
250+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.47 грн
10+174.25 грн
100+113.82 грн
500+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+171.28 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.04 грн
61+235.30 грн
100+231.52 грн
200+155.82 грн
500+137.85 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.53 грн
10+194.70 грн
50+166.19 грн
100+127.09 грн
250+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.69 грн
1600+107.27 грн
2400+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBF
Код товару: 99017
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 72 A
Rds(on), Ohm: 18,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRL IRFS4127International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.11 грн
10+168.10 грн
20+147.09 грн
50+125.24 грн
100+110.95 грн
200+105.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.69 грн
10+184.11 грн
50+179.22 грн
100+128.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.54 грн
1600+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.37 грн
39+370.73 грн
50+356.61 грн
100+332.21 грн
250+298.27 грн
500+278.54 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.81 грн
1600+87.87 грн
2400+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF
Код товару: 147925
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.56 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.53 грн
10+179.88 грн
100+109.63 грн
500+102.65 грн
800+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.47 грн
1600+121.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.16 грн
10+173.00 грн
100+121.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
1000+135.84 грн
10000+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
10000+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 62 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBF IRFS4227TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+130.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.63 грн
2400+94.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.68 грн
51+282.49 грн
100+272.91 грн
250+255.18 грн
500+229.85 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.04 грн
1600+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]