Продукція > 2ED
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2ED21064S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21064S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-DSO-14 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin DSO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin DSO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21064S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-DSO-14 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER | на замовлення 9932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06F | Infineon Technologies | 2ED2106S06F | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06F | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R | на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V Voltage class: 650V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: CMOS, TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-69 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R | на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: CMOS, TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-69 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21084S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-14-49 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21084S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-14-49 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21084S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER | на замовлення 6314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 12186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 2 Driven Configuration: High-Side and Low-Side Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI | на замовлення 4087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 2 Driven Configuration: High-Side and Low-Side Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21091S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-14-49 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers Y | на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-14-49 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2 Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Voltage class: 650V Type of integrated circuit: driver Case: PG-DSO-14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21094S06JXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI | на замовлення 8630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2109S06FXUMA1 | Infineon Technologies | 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 14V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | Infineon Technologies | High-Side and Low-Side Gate Driver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | Infineon Technologies | High-Side and Low-Side Gate Driver | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 14V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2110S06MXUMA1 | Infineon Technologies | High-Side and Low-Side Gate Driver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06J | Infineon Technologies | 2ED21814S06J | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER | на замовлення 11160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21814S06JXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-14 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-14 Output current: -2.5...2.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 650V Protection: undervoltage UVP Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21814S06JXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21814S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-14 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06F | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -2.5...2.5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V Voltage class: 650V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI | на замовлення 9567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: High-Side or Low-Side Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: High-Side or Low-Side Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21824S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2ED21824S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-14-49 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21824S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv Automotive 14-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21824S06JXUMA1 | Infineon Technologies | Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv Automotive 14-Pin DSO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21824S06JXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 2ED21824S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

