Продукція > BSL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 14705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL215CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL215PL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.56Ω Drain current: 1.4A Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Technology: OptiMOS™ Case: TSOP6 Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL296SNH6327XTSA1 - BSL296 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 108300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL296SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | на замовлення 108300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL302SN | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 7.1A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL302SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL303SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL303SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP6-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1697 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL305SPEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL305SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL305SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL306NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNALN CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL306NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL306NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SP | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SP | Infineon Technologies | MOSFETs P-Channel MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SP | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSL307SP H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 3664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SP H6327 Код товару: 170875
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL307SP L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -30V 5.5A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SP L6327 | INFINEON | TSOP6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 30V 5.5A 2W 43mΩ BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327 Infineon TBSL307sp кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2955 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPL6327 | INF | 07+; | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SPL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 665189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 665189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSL307SPL6327HTSA1 - BSL307 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 197289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL307SPL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL307SPT | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308C | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308C H6327 | Infineon | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL308C H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 30V 2.3A, -2A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 85462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 12264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6 Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308PEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 Код товару: 163576
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 4842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 18378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSL308PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL308PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSL314PE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 1.5A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

