Продукція > BSO

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSO040N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+86.64 грн
500+77.98 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1
Код товару: 212957
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+86.64 грн
500+77.98 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO051N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO051N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+30.27 грн
100+25.34 грн
500+21.86 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO051N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO051N03MSGXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO051N03MSGXUMA1 - BSO051N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
953+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 953 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO052N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO052N03SINFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO052N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO052N03S .
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO064N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO064N03SINFINEON09+ SOP8
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO064N03S .
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO064N03S(064N3S)Infineon
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO064N3SINFINEON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO065N03MSGInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
897+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO065N03MSGXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO065N03MSGXUMA1 - BSO065N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1053+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO065N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO065N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
746+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 746 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO072N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO072N03SINFINEONSOP-8
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO072N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO072N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3 GRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 893 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
на замовлення 3039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3EGXTInfineon technologies
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3EGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3EGXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO080P03NS3EGXUMA1 - BSO080P03 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3EGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03NS3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SInfineonP-MOSFET 14.9A 30V 2.5W 0.08Ω BSO080P03S TBSO080p03s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SInfineonP-MOSFET 14.9A 30V 2.5W 0.08Ω BSO080P03S TBSO080p03s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03S HInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SHXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SHXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+118.68 грн
100+84.54 грн
500+62.50 грн
1000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SHXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+113.75 грн
100+77.74 грн
500+58.48 грн
1000+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SHXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.54 грн
500+62.50 грн
1000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SNTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P03SNTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO080P3SINFINEON09+ SOP8
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03MSGINF08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+37.06 грн
100+31.47 грн
500+26.34 грн
1000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03N03MSGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1876+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 1876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO094N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO094N03SInfineon0648+
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO094N03S .
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO094N3SINFINEONSOP-8
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO104N03SINFINEON09+ SOP8
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO104N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO104N03S .
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO104N03S(104N3S)Infineon
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO104N3SINFINEON
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO108N03MSC GInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGINF07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.36 грн
500+31.25 грн
1000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.48 грн
12+35.06 грн
100+27.84 грн
500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.55 грн
50+69.09 грн
100+45.36 грн
500+31.25 грн
1000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 27175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.59 грн
100+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03S
Код товару: 85857
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03SINFINEONSOP8
на замовлення 15336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N3SINFINEON
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSGInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSGINF08+
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSGXUMA1
Код товару: 168712
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SINFINEON09+ SOP8
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -11.3A SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03S HInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -11.3A DSO-8 OptiMOS P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 9900 µohm, DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.74 грн
500+47.48 грн
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.92 грн
25+31.75 грн
100+29.70 грн
250+27.48 грн
500+26.36 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 9900 µohm, DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.55 грн
11+80.63 грн
100+59.74 грн
500+47.48 грн
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SNTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO150N03 - BSO150N03 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03INFINEON0408+
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MD GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.51 грн
500+32.46 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 6601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.06 грн
100+40.50 грн
500+29.72 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.91 грн
15+56.17 грн
100+42.51 грн
500+32.46 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.75 грн
5000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]