Продукція > DMH
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMHC4035LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3.5/-2.9A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 3.5/-2.9A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58/100mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5/11.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHC4035LSDQ-13-52 | Diodes Zetex | 40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 11437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHC6070LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHE001 | Cinch Connectivity Solutions | Description: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHE003 | Cinch Connectivity Solutions | Hood 180° E Shell Size Die Cast | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHOND03 | BASSER | Category: MDF Mounting Accessories Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs. Application - car brand: Honda Application - car model: Honda Accord 2008->2011; Honda Accord 2008->2012; Honda Civic 2006->2012; Honda Civic 2011->2017; Honda Civic 2015->; Honda Civic Tourer 2013->2014; Honda Civic VII 2006->2011; Honda Crosstour 2010->2012; Honda CR-V 2013->; Honda CR-Z 2010->; Honda CR-Z 2011->2012; Honda Insight 2009->2012; Honda Insight 2010->2012; Honda Jazz 2009->2015 Car Audio features: impregnated Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda Civic front doors; Honda Crosstour front doors; Honda CR-V front doors; Honda CR-Z front doors; Honda Insight front doors; Honda Insight rear doors Material: MDF Thickness: 18mm Loudspeaker size: 165mm Quantity in set/package: 2pcs. Type of car audio accessories: spacer ring | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHOND04 | BASSER | Category: MDF Mounting Accessories Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs. Quantity in set/package: 2pcs. Material: MDF Type of car audio accessories: spacer ring Thickness: 32mm Internal diameter: 144mm Loudspeaker size: 165mm Application - car brand: Honda Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010 Car Audio features: impregnated | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHS-1 | Greenlee Communications | Description: STRAP DMM HANGING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 6A On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.9nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 12Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN5045 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm Verlustleistung: 900mW rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds: 100V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm Dauer-Drainstrom Id: 6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm usEccn: EAR99 isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 900mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT10H032LFJ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12 T&R 3K | на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 9552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C) | на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 60V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN5045 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 11940 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHT6016LFJ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN5045-12 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 60V | на замовлення 12983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMHYUN02 | BASSER | Category: MDF Mounting Accessories Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Hyundai; impregnated; 2pcs. Material: MDF Type of car audio accessories: spacer ring Thickness: 38mm Loudspeaker size: 165mm Quantity in set/package: 2pcs. Application - car brand: Hyundai Application - car model: Hyundai ix35 2009->; Hyundai Tucson 2015-> Application - loudspeaker localisation: Hyundai ix35 front doors; Hyundai ix35 rear doors; Hyundai Tucson front doors; Hyundai Tucson rear doors Car Audio features: impregnated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2