Продукція > DMH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC4035LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13-52Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 11437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.93 грн
100+50.88 грн
500+37.67 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHE001Cinch Connectivity SolutionsDescription: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHE003Cinch Connectivity SolutionsHood 180° E Shell Size Die Cast
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Accord V 1993->1997; Honda Civic IV 1987->1996; Honda Civic V 1987->1996; Honda CRX 1987->1992; Honda Prelude IV 1991->1996
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Thickness: 18mm
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda CRX front doors; Honda Prelude front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+531.96 грн
3+438.61 грн
5+384.10 грн
10+380.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND03BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Accord 2008->2011; Honda Accord 2008->2012; Honda Civic 2006->2012; Honda Civic 2011->2017; Honda Civic 2015->; Honda Civic Tourer 2013->2014; Honda Civic VII 2006->2011; Honda Crosstour 2010->2012; Honda CR-V 2013->; Honda CR-Z 2010->; Honda CR-Z 2011->2012; Honda Insight 2009->2012; Honda Insight 2010->2012; Honda Jazz 2009->2015
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda Civic front doors; Honda Crosstour front doors; Honda CR-V front doors; Honda CR-Z front doors; Honda Insight front doors; Honda Insight rear doors
Material: MDF
Thickness: 18mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+624.99 грн
3+515.77 грн
5+452.03 грн
10+447.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHOND04BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Type of car audio accessories: spacer ring
Thickness: 32mm
Internal diameter: 144mm
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Honda
Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors
Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010
Car Audio features: impregnated
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+454.29 грн
3+374.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMHS-1Greenlee CommunicationsDescription: STRAP DMM HANGING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
euEccn: NLR
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12(Type C) T&R 3K
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+87.71 грн
25+74.30 грн
50+61.91 грн
100+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.7W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: V-DFN5045-12
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHYUN01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Hyundai; impregnated; 2pcs.
Application - car model: Hyundai Tucson 2004->
Application - loudspeaker localisation: Hyundai Tucson front doors; Hyundai Tucson rear doors
Type of car audio accessories: spacer ring
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Hyundai
Thickness: 8mm
Car Audio features: impregnated
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.30 грн
3+305.27 грн
5+267.53 грн
10+265.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMHYUN02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Hyundai; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Hyundai
Thickness: 38mm
Car Audio features: impregnated
Application - car model: Hyundai ix35 2009->; Hyundai Tucson 2015->
Application - loudspeaker localisation: Hyundai ix35 front doors; Hyundai ix35 rear doors; Hyundai Tucson front doors; Hyundai Tucson rear doors
Type of car audio accessories: spacer ring
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+699.95 грн
3+577.83 грн
5+504.87 грн
10+501.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.