Продукція > FDV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 920687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NONS/FAISOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.53 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 631217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
50+6.46 грн
100+5.27 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NonsemiMOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 492352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1527000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 21530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
48+8.89 грн
55+7.72 грн
78+5.42 грн
100+4.66 грн
500+3.31 грн
1000+2.86 грн
3000+2.31 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 1040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 66224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.22 грн
71+10.71 грн
114+6.66 грн
500+5.68 грн
1000+4.63 грн
3000+3.50 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 630977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
6000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 66224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+4.35 грн
9000+4.07 грн
27000+4.03 грн
51000+3.87 грн
102000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NON-SemiconductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6212+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 6212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 107196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6212+5.70 грн
10000+5.08 грн
100000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 6212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N-NB9V005ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT-23 0812+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NCT
Код товару: 121839
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301NSOT23-301FAIRCHLD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_NB9V005Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_NLONS/FAISOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PONS/FAISOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P
Код товару: 105837
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302Ponsemi / FairchildMOSFETs Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PFairchildP-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P-NB8V001onsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P-NB8V001ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -8V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P_D87Zonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P_NB8V001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P_NLonsemi / FairchildMOSFET 25V P-CH. FET, 10 O, SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV302P_Qonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.77 грн
34+12.41 грн
50+8.99 грн
100+7.78 грн
500+5.51 грн
1000+4.70 грн
1500+4.28 грн
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
6000+6.03 грн
12000+5.98 грн
27000+5.76 грн
51000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.25 грн
45+17.06 грн
62+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.83 грн
50+9.21 грн
100+7.53 грн
500+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 38928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5953+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5953 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8523+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NonsemiMOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 261104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1329000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NONS/FAISOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.52 грн
45+16.94 грн
62+12.27 грн
100+10.03 грн
500+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
6000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 38928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1261+11.22 грн
1848+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 1261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N
Код товару: 46231
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 0,68 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,45 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності: 189 шт
  • 148 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1422000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3572+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON-SemiconductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.50 грн
42+18.17 грн
56+13.62 грн
100+10.75 грн
500+6.79 грн
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N-GKGOODWORKDescription: 30V 1A 270m@4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N-NL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 25V 0.68A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N/303FAIRCHIL09+
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N_NB9U008onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Digital
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304N
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 120302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.55 грн
43+17.60 грн
54+14.17 грн
100+12.27 грн
250+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.41 грн
6000+7.85 грн
9000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1347000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+7.86 грн
9000+7.79 грн
24000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON-SemiconductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304P
Код товару: 150596
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3686+9.60 грн
10000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PONS/FAIMOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.