Продукція > FDW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDW47ND02FAIRCHILD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW5E009FAIRCHILD
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6426FAIRCHILD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6435FAIRCHILD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6467FAIRCHILD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6923Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
на замовлення 767042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+98.75 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6923FSC07+;
на замовлення 272500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6923ONSEMIDescription: ONSEMI - FDW6923 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.2mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
Wandlerpolarität: p-Kanal
euEccn: Unknown
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: Unknown
Produktpalette: PW Series
на замовлення 767042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6923onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6923_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6926FAIRCHILD
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6943FAIRCHILD
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6963FAIRCHILD
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW6966FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW7750FAIRCHILD
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW8210FAIRCHILD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW8800FAIRCHILD
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926AFAIRCHILDTSSOP-8
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926Aonsemi / FairchildMOSFETs 20V/10V Dual NCh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926A_Qonsemi / FairchildMOSFETs 20V/10V Dual NCh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 28919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926NZFAIRCHILD07+ TSSOP-8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 2.5V COMMON DRAIN NCH POWER TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDW9926NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9926NZ/9926NZFAIR
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW9928EOFAIRCHILD
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS5360L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS633ABB Installation ProductsJunction Boxes ALUMINUM DIE CAST BOX 1 X 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085onsemiMOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+345.52 грн
10+234.99 грн
100+142.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+192.05 грн
100+135.99 грн
500+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 214W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.01 грн
10+146.58 грн
100+105.51 грн
500+82.27 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 214W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
10+134.47 грн
100+92.99 грн
500+70.64 грн
1000+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
500+82.27 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085onsemiMOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+134.96 грн
100+81.46 грн
500+68.27 грн
3000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085HonsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; 107W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+98.20 грн
100+73.37 грн
500+56.39 грн
1000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085onsemi / FairchildMOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+99.24 грн
100+58.40 грн
500+46.67 грн
1000+44.25 грн
3000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.56 грн
6000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085ON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86380-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86380-F085ON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86380-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86380-F085onsemi / FairchildMOSFETs MV7 N Channel Power Trench MosFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+62.08 грн
100+37.83 грн
500+33.27 грн
1000+30.38 грн
3000+27.68 грн
6000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9408-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9408-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9420-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 75W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9420-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDWS9420-F085 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9420-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 20A, 5.8mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9508L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9508L-F085onsemiMOSFET PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.80 грн
10+146.87 грн
100+101.48 грн
250+93.89 грн
500+84.91 грн
1000+72.49 грн
3000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9508L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9508L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9508L_F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085onsemiMOSFETs PMOS PWR56 40V 8 MOHM
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+111.14 грн
100+65.93 грн
500+55.78 грн
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085
Код товару: 170673
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -65A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 107W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.60 грн
10+109.80 грн
25+106.84 грн
100+79.86 грн
250+71.88 грн
500+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9510L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL PQFN56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9510L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL PQFN56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9510L-F085ON SemiconductorMOSFET PT8P 40V LL PQFN56
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9511L-F085ON SemiconductorMOSFET PT8P 40V LL PQFN56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9520L-F085onsemiDescription: PT8P 40V LL DUAL PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2