Продукція > FQB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQB16N15TMON SemiconductorFQB16N15TM
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N15TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25CTMfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB16N25CTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25CTMON SemiconductorFQB16N25CTM
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.37 грн
500+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB16N25TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17N08LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17N08LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1092+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 1092 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17P06fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17P10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB17P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10Lonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10LTMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 150MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMonsemiMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 34353 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
2+190.88 грн
10+120.67 грн
100+71.80 грн
500+58.75 грн
800+54.54 грн
2400+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+100.21 грн
100+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.31 грн
120+119.07 грн
129+110.56 грн
200+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.39 грн
10+93.90 грн
25+81.43 грн
50+72.29 грн
100+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+129.94 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.04 грн
16+48.90 грн
25+46.40 грн
100+42.27 грн
250+39.92 грн
500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
10+124.89 грн
100+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMFCS02+
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+88.04 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMonsemiMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+141.31 грн
100+84.91 грн
500+66.48 грн
800+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB1N60FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB1N60TMFAIRCHILDTO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB1N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB1P50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB1P50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V P-Channel QFET
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+103.21 грн
100+71.11 грн
250+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB1P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB20N06TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N06TMonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB20N60Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMonsemi / FairchildMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 21108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+120.67 грн
100+72.49 грн
800+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.61 грн
5+134.62 грн
10+118.83 грн
25+98.88 грн
50+85.59 грн
100+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.86 грн
1600+62.46 грн
2400+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+113.75 грн
100+78.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMonsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 20283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.96 грн
10+123.85 грн
100+77.32 грн
500+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.84 грн
500+80.77 грн
1000+62.27 грн
5000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.86 грн
1600+55.23 грн
2400+53.01 грн
4000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.74 грн
10+130.47 грн
100+95.84 грн
500+80.77 грн
1000+62.27 грн
5000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB24N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB24N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB24N08TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33onsemi / FairchildMOSFET 330V, NCH, MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
25+91.82 грн
100+76.19 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TMonsemi / FairchildMOSFET 330V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 330V NCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB25N33TM-F085OSCTonsemiDescription: Power Field-Effect Transistor, 2
Packaging: Bulk
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]