Продукція > GT0

Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V

на замовлення 5626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.90 грн
10+	117.07 грн
100+	80.27 грн
500+	60.56 грн
1000+	55.82 грн
2000+	51.83 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06D5

Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06F

Description: MOSFET,N-CH,60V,120A,55W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.57 грн
10+	109.07 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06M

Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06M

Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.63 грн
10+	113.07 грн
100+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06TL

Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.39 грн
10+	120.84 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06TL

Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

GT025N06TL

GOFORD SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 200A; 230W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 230W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT03-111-034-B

Pulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT03-111-052-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT03-111-069-B

Pulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT03-111-110-A

Pulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT03-122-055-A

NMB Technologies Corporation

Pulse Transformers SMT Gate Driver Xfmr 1:2.5:2.5

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT0300-17M000

Description: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Steps per Revolution: 6000.0
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Current Rating (Amps): 1 A
NEMA Frame Size: 17
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Coil Type: Unipolar
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Step Angle: 0.06°
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Type: Hybrid Gear Motor
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Voltage - Rated: 24VDC

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

GT0300-23M201

NMB Technologies Corporation

Description: HYBRID 23 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 2.362" x 2.362" (60.00mm x 60.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.06°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 566.57 / 4000
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.315" (8.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.949" (49.50mm)
Length - Shaft and Bearing: 1.260" (32.00mm)
NEMA Frame Size: 24
Current Rating (Amps): 900 mA
Coil Resistance: 5.8 Ohms
Steps per Revolution: 6000.0

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

GT030N08T

Description: N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5822 pF @ 50 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.47 грн
50+	120.49 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT030PCM32-ARP-120

Amphenol Industrial Operations

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 120 AMPS 4 AWG

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

GT030PCM32-ARP-80

Description: CONN RCPT MALE 4POS SILVER SCREW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 47 шт

В кошику од. на суму грн.

GT030PCM32-ARP-80

Circular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 80 AMPS 4-6 AWG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT0312-90

Ondrives.US Corp

Description: SHAFT, 0.0312 DIA. X 9IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.031" Dia x 9.000" L (0.78mm x 228.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	692.11 грн
5+	600.05 грн
10+	573.64 грн
25+	519.21 грн
50+	506.46 грн

В кошику од. на суму грн.

GT035N06T

Description: N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5064 pF @ 30 V

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.98 грн
50+	87.74 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT035N10M

Description: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT035N10M

Description: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.77 грн
10+	172.54 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT035N10Q

GOFORD SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT035N10Q

Description: MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6516 pF @ 50 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.12 грн

В кошику од. на суму грн.

GT035N10T

Description: N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6057 pF @ 50 V

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.50 грн
50+	130.67 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT035N10T

GOFORD SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT035N12T

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8336 pF @ 60 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.52 грн
10+	183.26 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT038P06M

Description: MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 386 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11988 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT038P06M

Description: MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 386 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11988 pF @ 30 V

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.41 грн
10+	172.17 грн
100+	139.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-063-A

Description: THT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.810" L x 0.480" W (20.57mm x 12.19mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 155°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1:1
ET (Volt-Time): 63VµS
Height - Seated (Max): 0.750" (19.05mm)
Inductance: 247µH

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.50 грн
10+	256.55 грн
25+	246.24 грн
50+	224.00 грн
100+	217.08 грн
250+	208.20 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-063-B

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 8515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-126-A

Description: THT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tray
Inductance: 990µH
Size / Dimension: 0.810" L x 0.480" W (20.57mm x 12.19mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 155°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1:1
ET (Volt-Time): 126VµS
Height - Seated (Max): 0.750" (19.05mm)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-126-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-126-B

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-189-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-252-A

Description: THT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tray
Inductance: 3.96mH
Size / Dimension: 0.810" L x 0.480" W (20.57mm x 12.19mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 155°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1:1
ET (Volt-Time): 252VµS
Height - Seated (Max): 0.750" (19.05mm)

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.17 грн
10+	270.44 грн
25+	259.56 грн
50+	236.10 грн
100+	228.80 грн
250+	219.44 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-252-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-252-B

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-315-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 600 шт

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-315-B

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-378-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-378-A

Description: THT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tray
Inductance: 8.91mH
Size / Dimension: 0.810" L x 0.480" W (20.57mm x 12.19mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 155°C
Transformer Type: Gate Drive
ET (Volt-Time): 378VµS
Height - Seated (Max): 0.750" (19.05mm)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1:1

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.61 грн
10+	370.15 грн
25+	355.17 грн
50+	322.99 грн
100+	312.95 грн
250+	300.08 грн

В кошику од. на суму грн.

GT04-111-378-B

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT04-122-252-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 600 шт

В кошику од. на суму грн.

GT04-122-378-A

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 600 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N04D5I

Description: N40V,110A,RD<3.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N04M

Description: MOSFET,N-CH,40V,120A,82W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N04M

Description: MOSFET,N-CH,40V,120A,82W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	68.61 грн
100+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N04T

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 96W 4M(MAX)
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2794 pF @ 20 V

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.25 грн
10+	81.67 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N04T

Description: MOSFET,N-CH,40V,110A,87W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	25.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N04TI

Description: N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 20 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT040N10M

Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N10M

Description: MOSFET,N-CH,100V,140A,200W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	56.12 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N10M

Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.44 грн
10+	144.99 грн
100+	100.98 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT040N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W 4.5m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	55.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT0410EM

FAIRCHIL..

09+ SOP14

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT0416A

Marathon Motors

Description: MOTOR 7.5HP 1750RPM 213JM DPPE 3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT042P06T

Description: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT042P06T

GOFORD Semiconductor

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	109.19 грн

Мінімальне замовлення: 130 шт

В кошику од. на суму грн.

GT042P06T

Description: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT042P06T

GOFORD Semiconductor

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	109.19 грн

Мінімальне замовлення: 130 шт

В кошику од. на суму грн.

GT043N15F

Description: MOSFET 150V 95A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.23 грн
50+	127.23 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT043N15M

Description: MOSFET,N-CH,150V,143A,275W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	106.25 грн

Мінімальне замовлення: 250 шт

В кошику од. на суму грн.

GT043N15M

Description: MOSFET,N-CH,150V,143A,275W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT043N15Q

Description: MOSFET 150V 180A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	318.23 грн
30+	170.78 грн

В кошику од. на суму грн.

GT043N15T

Description: MOSFET 150V 143A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.96 грн
50+	123.65 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT043N15TL

Description: MOSFET,N-CH,150V,202A,350W,TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GT043N15TL

Description: MOSFET,N-CH,150V,202A,350W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 185 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10D5

Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V

на замовлення 4477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.66 грн
10+	125.37 грн
100+	86.70 грн
500+	68.06 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10D5

Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10D5

Description: MOSFET N-CH 100V 120A 180W 5.0m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10M

Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.44 грн
10+	126.28 грн
100+	87.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10M

Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10Q

Description: MOSFET N-CH 100V 145A 208W TO-24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.52 грн
10+	161.45 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10Q

Description: MOSFET,N-CH,100V,145A,208W,TO-24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	64.90 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 120A 180W 4.5m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6094 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT045N10T

Description: N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.95 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT0468-60

Ondrives.US Corp

Description: SHAFT, 0.0468 DIA. X 6IN LG
Part Status: Active
Specifications: 0.046" Dia x 6.000" L (1.18mm x 152.40mm)
Type: Shaft, Ground
Packaging: Bulk

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	656.05 грн
5+	568.35 грн
10+	543.44 грн
25+	492.29 грн

В кошику од. на суму грн.

GT048N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 110A 150W 4.8M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.76 грн
10+	96.61 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GT05-14S

Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Rcpt 14S Shell Rvs Bay Cpling Conn

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT05-20(025)

Amphenol Industrial Operations

Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Receptacle

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

GT05-20(025)

Description: DUMMYRECEPT
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06D5

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.14 грн
10+	54.87 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06D5

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06K

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	52.38 грн
100+	34.57 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06K

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06K

Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06M

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	72.01 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06M

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06M

Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06T

Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

GT055N06T

Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.52 грн
10+	67.33 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

GT05A

IDT

QFP

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT06-111-049

Description: SMT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Inductance: 880µH
Size / Dimension: 0.430" L x 0.630" W (11.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1:1
ET (Volt-Time): 49Vµs
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	330.77 грн
10+	287.65 грн

В кошику од. на суму грн.

GT06-111-049

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 7862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT06-111-049

Description: SMT GATE DRIVE TRANSFORMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 880µH
Size / Dimension: 0.430" L x 0.630" W (11.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C
Transformer Type: Gate Drive
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1:1
ET (Volt-Time): 49Vµs
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	252.75 грн
800+	235.75 грн

Мінімальне замовлення: 400 шт

В кошику од. на суму грн.

GT06-111-100

Pulse Transformers Gate Drive Transformer

на замовлення 17587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GT06-111-100