Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL1404PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBF
Код товару: 57532
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 160 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6590/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
  • 5 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+142.93 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
10+155.63 грн
100+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.75 грн
10+172.36 грн
100+120.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+174.66 грн
100+113.22 грн
500+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInternational RectifierTO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF
Код товару: 219024
Додати до обраних Обраний товар
VBSemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 160 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.15 грн
10+171.55 грн
100+123.23 грн
500+92.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF
Код товару: 34998
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 160 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6590/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 7 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+72.00 грн
10+66.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBF
Код товару: 27885
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 120 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,1 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5080/75
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+40.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+114.02 грн
500+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.02 грн
1600+81.19 грн
2400+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.08 грн
5+117.17 грн
10+103.87 грн
50+78.94 грн
100+70.63 грн
500+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.16 грн
1600+56.34 грн
2400+54.06 грн
4000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.51 грн
250+83.28 грн
500+80.10 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.19 грн
10+83.96 грн
25+83.74 грн
100+80.53 грн
250+74.36 грн
500+71.20 грн
1000+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.91 грн
10+127.82 грн
100+75.94 грн
500+61.72 грн
800+57.16 грн
2400+55.23 грн
4800+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.66 грн
1600+82.82 грн
2400+81.99 грн
4000+78.28 грн
5600+71.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
10000+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.02 грн
1600+81.19 грн
2400+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+109.04 грн
100+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.88 грн
1600+83.03 грн
2400+82.21 грн
4000+78.48 грн
5600+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRL1404ZSTRLPBF
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.56 грн
1000+101.97 грн
10000+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1N12LHARTO-39;
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203N(транзистор)
Код товару: 46039
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203N-029Infineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203N-029HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBF
Код товару: 74311
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 116 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3290/60
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 500 шт
  • 476 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL2203NPBF - IRL2203 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 357361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRL2203NPBF
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+85.23 грн
500+76.70 грн
1000+70.73 грн
10000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSPBF
Код товару: 1761
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTR
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRL
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRIR0310+
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRLVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRRVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2230NSIR
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505International RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+109.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]