Продукція > ISZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8040 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.86 грн
250+75.51 грн
1000+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8040 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.63 грн
50+104.86 грн
250+75.51 грн
1000+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.28 грн
10+59.29 грн
100+39.50 грн
500+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 1113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.90 грн
500+26.04 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+96.46 грн
100+70.21 грн
500+55.54 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.46 грн
10+130.87 грн
100+94.29 грн
500+70.42 грн
1000+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
10+142.35 грн
100+97.89 грн
500+74.01 грн
1000+68.28 грн
2000+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.29 грн
500+70.42 грн
1000+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.65 грн
10+130.60 грн
100+78.73 грн
500+63.54 грн
1000+59.64 грн
2500+57.55 грн
5000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
3+150.38 грн
10+122.59 грн
100+85.00 грн
250+78.73 грн
500+71.07 грн
1000+61.31 грн
2500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-36
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 68 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.05 грн
10+172.27 грн
100+105.21 грн
500+87.79 грн
1000+81.52 грн
2500+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-36
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 68 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.54 грн
100+100.30 грн
500+76.40 грн
1000+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.71 грн
50+161.76 грн
250+134.12 грн
1000+98.88 грн
3000+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.33 грн
10+48.80 грн
100+32.54 грн
500+25.78 грн
1000+21.18 грн
5000+17.91 грн
10000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+53.97 грн
100+41.40 грн
500+30.71 грн
1000+24.57 грн
2000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+135.94 грн
100+94.02 грн
500+71.43 грн
1000+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.92 грн
10+159.45 грн
100+96.84 грн
500+81.52 грн
1000+75.25 грн
2500+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.63 грн
100+50.61 грн
500+37.43 грн
1000+34.19 грн
2000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
50+70.72 грн
250+52.27 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.72 грн
250+52.27 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.99 грн
10+73.71 грн
100+45.01 грн
500+36.16 грн
1000+30.38 грн
5000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.59 грн
100+43.66 грн
500+32.14 грн
1000+29.30 грн
2000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.85 грн
10+69.87 грн
100+44.03 грн
500+35.32 грн
1000+28.84 грн
5000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.14 грн
100+46.25 грн
500+34.20 грн
1000+31.24 грн
2000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 7135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.01 грн
10+100.15 грн
100+63.54 грн
500+53.30 грн
1000+51.77 грн
2500+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+87.78 грн
100+67.98 грн
500+54.89 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.97 грн
10+59.85 грн
100+40.55 грн
500+34.42 грн
1000+28.01 грн
2500+26.34 грн
5000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 5076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+66.12 грн
100+44.20 грн
500+32.65 грн
1000+29.81 грн
2000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 543µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.01 грн
100+47.76 грн
500+35.05 грн
1000+31.90 грн
2000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 543µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.18 грн
10+84.13 грн
100+48.35 грн
500+37.97 грн
1000+32.47 грн
2500+29.40 грн
5000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+54.50 грн
100+42.37 грн
500+33.71 грн
1000+27.46 грн
2000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1InfineonP-Channel 60 V 19.5A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.92 грн
10+68.75 грн
100+40.41 грн
500+32.19 грн
1000+26.96 грн
5000+25.71 грн
10000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2