Продукція > IXS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXSH30N60CIXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CIXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60U1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 50A 200W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AIXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 70A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120AIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Switching Energy: 10mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-247AD
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N120BТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N140AIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1400V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N140AIXYSDescription: IGBT 1400V 70A 300W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH35N140A
Код товару: 62775
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-4; 28.6ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Reverse recovery time: 28.6ns
Polarisation: N
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHVIXYSDescription: 1200V 80M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.67 грн
10+438.45 грн
50+352.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60AIXYSIGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 600V, 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60AIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/400ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60BIXYSMODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60BIXYSIGBT Transistors 75 Amps 600V 2.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60B2D1IXYSIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO247
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXSH40N65L2KHV - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHVIXYSDescription: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.24 грн
10+399.13 грн
50+319.50 грн
450+236.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N100IXYSIGBT Transistors IGBT SCSOA 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N100IXYSDescription: IGBT 1000V 75A TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 165 nC
Test Condition: 800V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 15mJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 960V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 21mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120IXYSIGBT Transistors 45 Amps 1200V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120(транзистор)
Код товару: 82135
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 13mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/360ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH45N120BIXYSIGBT Transistors 75 Amps 1200V 3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N120L3KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 55mOhm in TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N120L3KHVIXYSDescription: SIC MOSFET 1200V 55M IN TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N120L3KHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A 250W TO247
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 167 nC
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 650V; 60A; 249W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 249W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 94.7nC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 40Ω
Polarisation: N
Technology: SiC
Drain current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHVIXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHVIXYSDescription: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.73 грн
10+484.12 грн
50+390.59 грн
450+291.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH65N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH65N120L3KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 35mOhm in TO247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH80N120L2KHVIXYSSiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH80N120L2KHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...23V
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 198A
Power dissipation: 395W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ25N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ25N120R1IXYSDescription: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.37 грн
30+641.32 грн
60+593.16 грн
120+518.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ25N120R1IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 25A; 75.3W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75.3W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Polarisation: N
Technology: SiC
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -4...21V
On-state resistance: 62mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ25N120R1KIXYSSiC MOSFETs 1200V 62mOhm 28A at 25C in TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1IXYSDescription: 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +12V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 800 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.40 грн
30+732.27 грн
120+646.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1KIXYSDescription: 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 143.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA
Supplier Device Package: ISO247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ43N120R1KIXYSSiC MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ50N60B4D1IXYSNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 34 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSJ80N120R1IXYSSiC MOSFETs 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60BD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1IXYSIGBT Transistors 55 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1
Код товару: 37957
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 55A 200W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK35N120AU1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO264
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 960V, 35A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 10mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO264
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK40N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264AA
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 190 nC
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK40N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264AA
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 190 nC
Test Condition: 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/70ns
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1IXYS09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/200ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/150ns
Switching Energy: 3.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK80N60BIXYSDescription: IGBT 600V 160A 500W TO264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 480V, 80A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/140ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYSMODULE
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYSDescription: IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N100U1IXYSIGBT Transistors 35 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N120AU1IXYSIGBT Transistors 35 Amps 1200V 4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N120AU1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 70A 300W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN35N120U1IXYS05+ WL
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN40N60AU1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60BD2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 250W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.85 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60BD3IXYSIGBTs 75 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60BD3IXYSDescription: IGBT 75A 600V SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60U1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN52N60AU1Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN52N60AU1IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN52N60AU1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 80A 250W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN55N120AIXYSDescription: IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN55N120AU1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 55A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN55N12AU1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1IXYSMODULE
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1IXYSDescription: IGBT 90A 600V SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN62N60U1 IGBTIXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN80N60AU1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN80N60BD1
Код товару: 168773
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN80N60BD1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 420 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP10N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 20A TO-220-3
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 480V, 10A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/180ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP10N60B2D1
Код товару: 105391
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSP15N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/148ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.