Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD14N03R-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.19 грн
50+47.60 грн
100+31.17 грн
500+22.36 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.56 грн
157+90.65 грн
188+75.64 грн
250+68.37 грн
500+58.09 грн
1000+46.39 грн
3000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 89500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.97 грн
500+21.16 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GonsemiMOSFETs 25V 14A N-Channel
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
13+25.33 грн
25+21.75 грн
100+20.16 грн
250+20.09 грн
500+18.43 грн
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.94 грн
100+31.50 грн
500+22.95 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.66 грн
10+91.56 грн
25+90.65 грн
100+72.94 грн
250+63.31 грн
500+55.77 грн
1000+46.39 грн
3000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G******
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03T4G
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06AV1onsemiDescription: 15A, 60V, 0.09OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06AVT4onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.120R TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-001ON0414
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06L-1G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LGonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4 - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 1560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2061+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 2061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06VT4
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N40
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06onsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06-1G - NTD18N06-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2475+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LONSOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06L-1GONDPAK-3 10+
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GonsemiMOSFETs 60V 18A N-Channel
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+80.18 грн
100+46.53 грн
500+36.73 грн
1000+33.62 грн
2500+29.48 грн
5000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.10 грн
5000+27.85 грн
7500+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.20 грн
50+62.58 грн
100+48.16 грн
500+38.66 грн
1000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
10+86.82 грн
25+83.84 грн
100+63.54 грн
250+58.21 грн
500+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+69.03 грн
100+46.26 грн
500+34.24 грн
1000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.82 грн
170+83.84 грн
216+65.89 грн
250+62.87 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 60V, 18A, 55Вт, DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03
на замовлення 15300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27ON07+ SOT-252
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-001 - MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 12572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
10000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-1G - NTD20N03L27-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27GONTO-252/D-PAK
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4 - NTD20N03L27T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]