Продукція > NVM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFD5489NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 390 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5852NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level. | на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5852NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5852NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL | на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5852NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5852NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5852NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NLWFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5853NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5853NWFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5873NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5873NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5873NLT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5873NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5873NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5873NLWFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5873NLWFT1G | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5873NLWFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3 | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLWFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLWFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5875NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLT1G | onsemi | MOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLT3G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLWFT1G | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5877NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 3.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3.5W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLT1G | ONN | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | ONN | на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 2188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | onsemi | MOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 89W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 89W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | ONN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 89W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 89W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NWFT1G | onsemi | MOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C446NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLT1G | ONN | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 10760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLWFT1G | ONN | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLWFT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 3318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 | на замовлення 3139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V | на замовлення 508500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NT1G | ONN | на замовлення 1070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NVMFD5C462NT1G | onsemi | MOSFETs 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V | на замовлення 509400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NWFT1G | ON Semiconductor | Description: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C462NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NL | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLET1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 1436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLET1G | onsemi | Description: DUAL N CHANNEL POWER MOSFET 40V, Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL S08FL DS | на замовлення 27325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFD5C466NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

