Продукція > SPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW17N80C2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW17N80C3 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2320 @ 25, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт кількість в упаковці: 240 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 271 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3 Код товару: 38747
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| SPW17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW17N80C3A | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 23384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW17N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 23384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3 | Infineon | MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW17N80S5 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW20N60C2 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3 | Infineon Technologies | Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60C3 | Infineon | Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13,1А, 208Вт, PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3 : SPW20N60C3FKSA1 : SPW20N60C3XK SPW20N60C3 | Infineon | N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3 TO-247 Код товару: 30183
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, V: 650 V Струм стоку Idd, A: 20,7 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3/TK20J60 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 239633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3E8177FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPW20N60C3E8177FKSA1 - COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | SPW20N60C3E8177FKSA1 | на замовлення 199264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | SPW20N60C3E8177FKSA1 | на замовлення 40369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60C3PB-FREE | на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW20N60C3XK | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60CFD | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60CFD Код товару: 67463
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 124nC | на замовлення 324 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60CFDXK | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60S5 Код товару: 71990
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW20N60S5 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60S5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5 | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 103 @ 10 В, Rds = 190 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 1 мA,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 240 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon | N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW21N50C3 Код товару: 131445
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW21N50C3 | INF | 07+; | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW21N50C3FKSA1 SPW21N50C3 | Infineon | MOSFET N-Channel TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW2430HR5H-B | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -42dB ±3dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 59dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Top Height (Max): 0.043" (1.10mm) Impedance: 450 Ohms Current - Supply: 110 µA Voltage Range: 1.5 V ~ 3.6 V Frequency Range: 100 Hz ~ 10 kHz | на замовлення 34200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW2430HR5H-B | Knowles | MEMS Microphones MEMS Microphone | на замовлення 12099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW2430HR5H-B | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB Packaging: Cut Tape (CT) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -42dB ±3dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 59dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Top Height (Max): 0.043" (1.10mm) Part Status: Not For New Designs Impedance: 450 Ohms Current - Supply: 110 µA Voltage Range: 1.5 V ~ 3.6 V Frequency Range: 100 Hz ~ 10 kHz | на замовлення 37898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW2430HR5H-B-7 | KNOWLES | 100Hz~10kHz Analog Microphone MEMS (Silicon) 1.5V~3.6V Omnidirectional (-42dB +3dB @ 94dB SPL) Solder Pads SPW2430HR5H-B Knowles UISPW2430hr5hb кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW2430HR5H-B-7 | Knowles | Description: SILICON MICROPHONE Packaging: Bulk Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -42dB ±3dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 59dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Top Height (Max): 0.043" (1.10mm) Part Status: Active Impedance: 450 Ohms Current - Supply: 110 µA Voltage Range: 1.5 V ~ 3.6 V Frequency Range: 100 Hz ~ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW2430HR5H-B-7 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW24N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60C3 Код товару: 37627
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO247 Напруга сток-витік Uds, V: 650 V Струм стоку Idd, A: 24,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3000/104 Монтаж: THT | у наявності: 11 шт
|
| ||||||||||||||||
| SPW24N60C3 | Infineon | MOSFET N-Channel 650V, 24.3A, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW24N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 Код товару: 123188
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW24N60CFD | Infineon | MOSFET N-Channel TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60CFD | INFINEON | 10+ SOT23-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW24N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

